[发明专利]电子装置的制造方法在审
申请号: | 202010783545.X | 申请日: | 2020-08-06 |
公开(公告)号: | CN112445078A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 庄峻源;陈明志;黄竞;王维仁;郑道隆 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/09 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 | ||
1.一种电子装置的制造方法,包括:
提供基板;
在所述基板上配置装置层;
在所述装置层上配置光致抗蚀剂层;
在所述光致抗蚀剂层上配置光罩;
使用光源第一次照射所述光罩以形成第一曝光区域;
在所述基板与所述光罩之间进行相对移动;
使用所述光源第二次照射所述光罩以形成第二曝光区域,其中所述第一曝光区域与所述第二曝光区域部分重叠;
进行显影制程以形成图案化光致抗蚀剂层;以及
进行蚀刻制程以形成图案化装置层。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,还包括在配置所述装置层的步骤及配置所述光致抗蚀剂层的步骤之间配置促进层。
3.根据权利要求2所述的电子装置的制造方法,其中在所述显影制程中形成图案化促进层,且所述电子装置的制造方法还包括在进行所述蚀刻制程之后移除所述图案化光致抗蚀剂层及所述图案化促进层。
4.根据权利要求2所述的电子装置的制造方法,其中所述促进层的厚度小于
5.根据权利要求2所述的电子装置的制造方法,其中所述促进层配置于所述装置层与所述光致抗蚀剂层之间。
6.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,其中所述装置层的材料包括金属或其它导电材料。
7.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,其中所述图案化光致抗蚀剂层的一部分具有线宽,且所述线宽等于或小于1μm。
8.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,其中所述图案化装置层的一部分具有线宽,且所述线宽等于或小于1μm。
9.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,其中从所述光源发出的光具有范围在350nm至460nm之间的波长。
10.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,其中所述光致抗蚀剂层包括化学增幅型光致抗蚀剂。
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