[发明专利]电子装置的制造方法

说明书

本揭露提供一种电子装置的制造方法。在电子装置的制造方法中，提供基板，在基板上配置装置层，且在装置层上配置光致抗蚀剂层。随后，在光致抗蚀剂层上配置光罩，且使用光源第一次照射光罩以形成第一曝光区域。然后，在基板与光罩之间进行相对移动，且使用光源第二次照射光罩以形成第二曝光区域，其中第一曝光区域与第二曝光区域部分重叠。之后，进行显影制程以形成图案化光致抗蚀剂层，以及进行蚀刻制程以形成图案化装置层。

相关申请的交叉引用

本申请主张美国临时案申请号62/893,195、申请日为2019年8月29日的优先权。上述专利申请的全部内容通过引用并入本文，并成为本说明书的一部分。

技术领域

本揭露涉及一种电子装置的制造方法，且更确切地说，涉及一种具有窄线宽的电子装置的制造方法。

背景技术

目前，可以通过双光罩方式(即，使用两个不同的光罩在相同区域上显影图案)达成具有窄线宽(例如，小于或等于1μm)的电子装置。然而，在双光罩方式中使用的设备昂贵，并且导致高成本。因此，降低具有窄线宽的电子装置的制造成本是目前要研究的课题。

发明内容

本揭露提供一种电子装置的制造方法，所述方法能够降低具有窄线宽的电子装置的制造成本。

根据本揭露的一实施例，在电子装置的制造方法中，包含了提供基板，在基板上配置装置层，且在装置层上配置光致抗蚀剂层。随后，在光致抗蚀剂层上配置光罩，且使用光源第一次照射光罩以形成第一曝光区域。然后，在基板与光罩之间进行相对移动，且使用光源第二次照射光罩以形成第二曝光区域，其中第一曝光区域与第二曝光区域部分重叠。之后，进行显影制程以形成图案化光致抗蚀剂层,进行蚀刻制程以形成图案化装置层

为了使本揭露的以上特征和优点更显而易见，参考随附附图详细地描述以下实施例。

附图说明

包含随附附图以提供对本揭露的进一步理解，且随附附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的示范性实施例，且与描述一起用来解释本揭露的原理。

图1A至图1H是根据本揭露的一实施例的电子装置的制造方法的示意性横截面视图；

图2是根据本揭露的一实施例的制造方法的流程图。

附图标号说明

100：基板；

200：装置层；

200A：图案化装置层；

300：促进层；

300A：图案化促进层；

400：光致抗蚀剂层；

400A：图案化光致抗蚀剂层；

410、412：第一曝光区域；

420、422、424：第二曝光区域；

500：光罩；

d：路径长度；

S1001、S1002、S1003、S1004、S1005、S1006、S1007、S1008、S1009、S1010、S1011、S1012、S1013、S1014：步骤；

W1、W2：线宽。

具体实施方式

本揭露可参考以下示范性实施例和随附附图加以理解。为了容易理解和简化附图，本揭露中的附图中的一些仅描绘电子装置的一部分，且不根据实际尺度绘制附图中的具体组件。