[发明专利]MEMS传声器的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010784197.8 申请日: 2019-09-19
公开(公告)号: CN111866681B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 李利 申请(专利权)人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
主分类号: H04R19/00 分类号: H04R19/00;H04R31/00
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张磊
地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: mems 传声器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种MEMS传声器的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

提供一开设有凹槽、进音孔、传声通道及传音孔的基板,并对所述基板进行预烘烤,其中所述传音孔设置在所述凹槽侧壁上,所述进音孔设置在所述基板的远离所述凹槽的侧面上,所述传声通道设置在所述基板内部,并与所述进音孔及所述传音孔连通;

将MEMS芯片贴装在预烘烤后的所述基板的凹槽底部,使所述MEMS芯片的振膜与所述凹槽底部表面平行,并将所述MEMS芯片焊接在所述基板上;

将ASIC芯片贴装在所述MEMS芯片及所述基板上,使所述ASIC芯片的同一侧面与所述MEMS芯片及所述基板接触,并将所述ASIC芯片焊接在所述MEMS芯片及所述基板上;

将金属盖贴装在所述基板上,形成用于封装所述基板的凹槽、所述MEMS芯片及所述ASIC芯片的封装腔体,得到所述MEMS传声器;

其中,所述传音孔的数目为一个,所述制备方法还包括:

提供一基板板材,并在所述基板板材的一侧涂覆第一铜层,得到第一基板组件;

在所述第一基板组件的与第一铜层对应的一侧上蚀刻出与所述传音孔对应的第一沟槽;

在所述第一基板组件的蚀刻有所述第一沟槽的一侧上层压第一聚丙烯板材,得到第二基板组件,及由所述第一基板组件、所述第一沟槽、所述第一聚丙烯板材配合得到的所述传音孔;

在所述第二基板组件的与第一聚丙烯板材对应的一侧上蚀刻出侧壁位置与所述传音孔相交的挖槽,得到所述凹槽;

在所述第二基板组件的远离所述凹槽的一侧上进行打孔,使打出的孔洞与所述传音孔连通,形成所述进音孔及连通所述进音孔与所述传音孔的传声通道,得到所述基板。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述凹槽的深度与所述MEMS芯片的高度相同。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述进音孔的数目为一个。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的制备方法,其特征在于,所述传音孔在所述凹槽侧壁上的位置与贴装在所述凹槽底部的MEMS芯片的振膜齐平。

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