[发明专利]MEMS传声器的制备方法

说明书

本申请是中国申请201910888055.3的分案申请。本申请提供一种MEMS传声器的制备方法，通过在基板上开设凹槽，将MEMS芯片焊接在凹槽底部，使MEMS芯片的振膜与凹槽底部表面平行，并将MEMS芯片及基板分别与ASIC芯片的同一侧面焊接，而后将金属盖盖合在基板上，形成用于封装凹槽、MEMS芯片及ASIC芯片的封装腔体，其中凹槽侧壁上开设有传音孔，基板的位于封装腔体外的表面上开设有进音孔，基板内开设有传声通道，传声通道连通传音孔与进音孔，使进入传声器的声音信号的声压不会直接与振膜正对接触，以改善振膜易因高强度的声压而破裂的问题，延长传声器的使用寿命，提高用户使用体验。

本申请是申请号为201910888055.3、申请日为2019年9月19日、发明名称为“MEMS传声器及其制备方法”的中国申请的分案申请。

技术领域

本申请涉及声电转换领域，具体而言，涉及一种MEMS传声器的制备方法。

背景技术

随着半导体制造技术的快速发展，半导体器件被广泛应用到各种电子产品中，以确保对应电子产品的功能实现。其中，对声音采集设备(例如，智能手机、录音机)来说，可以使用基于半导体器件制造得到的传声器来将声音信号转换为电信号，并通过这类传声器因半导体器件而具有的尺寸小及稳定性强等特点，增强声音采集设备的性能。

但就目前而言，市面上的基于半导体器件制造得到的传声器通过将MEMS(MicroElectro Mechanical System，微机电系统)的振膜与声音信号的近音方向正对，确保该MEMS芯片的振膜与该声音信号所对应的声压直接正对接触，使该MEMS芯片的振膜在对应声压的作用下发生形变，进而改变振膜与背极板之间的电容值，从而将声音信号转换为电压信号。在此过程中，因MEMS芯片的振膜与声压直接正对接触，当声压变化的强度超过一定数值时，MEMS芯片的振膜易在高强度的声压冲击下出现破裂现象，导致MEMS芯片损坏，影响传声器使用寿命及用户使用体验。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种MEMS传声器及其制备方法，其通过使传声器的进音方向不与MEMS芯片的振膜正对，确保该MEMS芯片的振膜不会直接与声压正对接触，以改善振膜易因高强度的声压而破裂的问题，延长传声器的使用寿命，提高用户使用体验。

第一方面，本申请实施例提供一种MEMS传声器，所述MEMS传声器包括基板、金属盖、MEMS芯片及ASIC(Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路)芯片；

所述基板上开设有凹槽，所述MEMS芯片焊接在所述凹槽底部，所述MEMS芯片及所述基板分别与所述ASIC芯片的同一侧面接触并焊接在一起，其中所述MEMS芯片的振膜与所述凹槽底部表面平行；

所述金属盖盖合在所述基板上，并在所述基板上形成用于封装所述凹槽、所述MEMS芯片及所述ASIC芯片的封装腔体，所述凹槽侧壁上开设有传音孔，所述基板的位于所述封装腔体外的表面上开设有进音孔，所述基板内开设有传声通道，所述传声通道连通所述传音孔与所述进音孔。

在可选的实施方式中，所述传音孔的数目为多个，多个所述传音孔与所述传声通道连通。

在可选的实施方式中，多个所述传音孔环绕着所述MEMS芯片地分布设置在所述凹槽侧壁上。

在可选的实施方式中，所述进音孔的数目为一个，所述进音孔设置在所述基板的远离所述凹槽的侧面上。

在可选的实施方式中，所述MEMS芯片的高度与所述凹槽的深度相同。

在可选的实施方式中，所述ASIC芯片包括焊接面，所述焊接面包括第一区域及第二区域；

所述第一区域与所述MEMS芯片的远离所述凹槽的侧面接触，并与所述MEMS芯片焊接；

所述第二区域与所述基板的开设有所述凹槽的侧面接触，并与所述基板焊接。