[发明专利]一种太阳能电池及制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括硅基底、和位于所述硅基底的向光侧的前表面场层；

所述前表面场层包括形成在所述硅基底上的第一本征非晶硅层，以及在所述第一本征非晶硅层上依次层叠的第一N型硅氧层、第二N型硅氧层和第一透明导电层；

所述第一N型硅氧层的含氧量小于所述第二N型硅氧层的含氧量，所述第二N型硅氧层具有镂空结构；所述第一透明导电层通过所述第二N型硅氧层的镂空结构与所述第一N型硅氧层相接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一N型硅氧层的含氧量不大于35％。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二N型硅氧层的含氧量大于或等于10％，且小于或等于60％。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一N型硅氧层与所述第一透明导电层接触区域的面积，占所述第一N型硅氧层总面积的2％～30％。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一N型硅氧层的厚度为5nm-15nm；所述第二N型硅氧层的厚度为5nm-15nm。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括位于所述硅基底的背光侧的背表面场层；所述背表面场层包括在所述硅基底的背光侧依次层叠的第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和第二透明导电层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅基底为N型硅基底；所述第一N型硅氧层与所述第二N型硅氧层为微晶硅氧层或纳晶硅氧层。

8.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

提供硅基底；

在所述硅基底的向光侧形成第一本征非晶硅层；

在所述第一本征非晶硅层上形成第一N型硅氧层；

在所述第一N型硅氧层上形成第二N型硅氧层；所述第二N型硅氧层具有镂空结构；所述第一N型硅氧层的含氧量小于所述第二N型硅氧层的含氧量；

在所述第二N型硅氧层上形成第一透明导电层。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二N型硅氧层通过掩膜方式沉积。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一N型硅氧层与形成所述第二N型硅氧层的反应气体包括硅烷、二氧化碳、氢气以及磷化氢。