[发明专利]一种太阳能电池及制备方法

说明书

本发明提供了太阳能电池及制备方法，涉及太阳能光伏技术领域。其中，太阳能电池包括硅基底、和位于所述硅基底的向光侧的前表面场层；前表面场层包括在所述硅基底上依次层叠的第一本征非晶硅层、第一N型硅氧层、第二N型硅氧层和第一透明导电层；第一N型硅氧层的含氧量小于第二N型硅氧层，且第一透明导电层通过第二N型硅氧层的镂空结构与第一N型硅氧层相接触。本申请中通过不同含氧量的薄膜调节折射率的梯度渐变，从而起到明显的减反效果，增加电池的短路电流，同时第一透明导电层可以与第一N型硅氧层直接相接触，使得第一透明导电层可以通过低氧的第一N型硅氧层进行载流子的高效传输，有效提升电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及制备方法。

背景技术

硅异质结太阳能电池是一种高转化效率、可双面发电的太阳能电池，在光伏产业中表现出广阔的应用前景。硅异质结太阳能电池通过在掺杂非晶硅与硅基底之间，沉积一层本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)，从而钝化硅基底表面大量的悬挂键，减少表面复合，提升电池效率。

由于掺杂非晶硅层的对光有较强的寄生吸收，影响电池的转化效率，因此，在硅异质结电池中常采用一层n型硅氧薄膜(nc-SiOx:H)代替前表面的掺杂非晶硅层，以增加电池的电流。

但是，采用nc-SiOx:H的电池，其电池的转化效率有待进一步提高。

发明内容

本发明提供一种太阳能电池及制备方法，旨在提升太阳能电池的转化效率。

第一方面，本发明实施例提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括硅基底、和位于所述硅基底的向光侧的前表面场层；

所述前表面场层包括形成在所述硅基底上的第一本征非晶硅层，以及在所述第一本征非晶硅层上依次层叠的第一N型硅氧层、第二N型硅氧层和第一透明导电层；

所述第一N型硅氧层的含氧量小于所述第二N型硅氧层的含氧量，所述第二N型硅氧层具有镂空结构；所述第一透明导电层通过所述第二N型硅氧层的镂空结构与所述第一N型硅氧层相接触。

可选地，所述第一N型硅氧层的含氧量不大于35％。

可选地，所述第二N型硅氧层的含氧量大于或等于10％，且小于或等于60％。

可选地，所述第一N型硅氧层与所述第一透明导电层接触区域的面积，占所述第一N型硅氧层总面积的2％～30％。

可选地，所述第一N型硅氧层的厚度为5nm-15nm。

可选地，所述第二N型硅氧层的厚度为5nm-15nm。

可选地，所述太阳能电池还包括位于所述硅基底的背光侧的背表面场层；所述背表面场层包括在所述硅基底的背光侧依次层叠的第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和第二透明导电层。

可选地，所述硅基底为N型硅基底；所述第一N型硅氧层与所述第二N型硅氧层为微晶层或纳晶层。

第二方面，本发明实施例提供了一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括：

提供硅基底；

在所述硅基底的向光侧形成第一本征非晶硅层；

在所述第一本征非晶硅层上形成第一N型硅氧层；

在所述第一N型硅氧层上形成第二N型硅氧层；所述第二N型硅氧层具有镂空结构；所述第一N型硅氧层的含氧量小于所述第二N型硅氧层的含氧量；

在所述第二N型硅氧层上形成第一透明导电层。

可选地，所述第二N型硅氧层通过掩膜方式沉积。