[发明专利]一种薄硅片的制作方法

权利要求书

1.一种薄硅片的制作方法,其特征在于，包括以下步骤：（1）、用抛光机台对硅片的第一面进行抛光清洗；（2）、在硅片的第一面贴上保护膜；（3）、对硅片的第二面进行研磨加工，使硅片减薄；（4）、清除硅片上的保护膜；（5）、用贴蜡机将硅片的第一面贴至辅助硅片上，形成复合硅片；（6）用抛光机台的精抛垫对复合硅片上硅片的第二面进行抛光清洗；（7）对硅片进行脱蜡处理。

2.根据权利要求1所述的一种薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步骤（1）中，使用双面抛光工艺进行抛光，且抛光机台的上、下盘分别使用细抛垫和粗抛垫，并用粗抛垫和细抛光垫依次加工硅片的第一面。

3.根据权利要求1所述的一种薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步骤（1）中，抛光机台所用的抛光液为添加有分散剂TX-10的硅溶胶抛光液。

4.根据权利要求3所述的一种薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步骤（1）中，将添加有分散剂TX-10的硅溶胶抛光液的PH值调高到11～12进行使用。

5.根据权利要求1所述的一种薄硅片的制作方法,其特征在于，所述步骤（1）和步骤（2）之间还包括以下步骤：对硅片进行清洗和检验，即将从抛光机台取出的硅片先进入清水降温并清除大部分的抛光液；然后将硅片放入10%的乙酸溶液中，进行酸碱中和反应；待检验员进行检验时，将硅片放入0.5%的氢氟酸和1%乙酸混合液洗液中清洗，再使用纯水冲洗。

6.根据权利要求1所述的一种薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步骤（6）的抛光清洗中，耗材主要为18兆纯水和10%浓度抛光液，去除研磨后细微的磨痕。

7.根据权利要求1所述的一种薄硅片的制作方法,其特征在于：还包括步骤（8）：对硅片进行清洗，即使用10%溶度盐酸、5%的双氧水混合溶液去除金属离子，再用超纯水清洗；使用5%的氨水，5%双氧水混合液去除有机物，再用超纯水清洗；使用10%氢氟酸，5%硝酸，5%冰醋酸混合液去除氧化层，再用超纯水清洗。

8.根据权利要求7所述的一种薄硅片的制作方法,其特征在于：还包括步骤（9）：对硅片进行烘干并包装，即将硅片放入离心甩干机进行甩干，再烘干；然后将硅片装盒并抽真空，再使用PE塑料袋通入氮气包装。

9.根据权利要求1所述的一种薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步骤（2）中的保护膜为uv蓝膜。

10.根据权利要求1所述的一种薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步骤（6）中，将抛光机台的抛光液使用温度控制在30°以内。