[发明专利]一种薄硅片的制作方法

说明书

本发明公开了一种薄硅片的制作方法，涉及硅片加工领域，包括以下步骤：用抛光机台对硅片的第一面先进行抛光；对硅片进行清洗检查；在硅片的第一面贴上保护膜；对硅片的第二面进行研磨减薄；清除硅片上的保护膜；用贴蜡机将硅片的第一面贴至辅助硅片上，形成复合硅片；再对复合硅片上硅片的第二面进行抛光、清洗检验、脱蜡处理和清洗甩干。本发明的有益效果：本发明从抛光机台，抛光液，清洗方法，使用辅助硅片、蜡、uv蓝膜等多方面进行制造工艺的全面改进，可以生产出更薄的硅片，并且提高薄硅片的质量，加快生成速度，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及硅片加工领域，更具体地说是指一种薄硅片的制作方法。

背景技术

集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,越来越多的薄芯片将会出现在封装中。此外薄芯片可以提高器件在散热、机械等方面的性能,降低功率器件的电阻。因此,薄硅片的地位越来越重要。虽然半导体器件中的硅片目前已经做得很薄，但依旧不能满足某些特殊使用的要求，比如后道加工完成再进行减薄工艺势必会影响产品质量以及成品率，因此，市场迫切需要一种能够加工出更薄硅基材的制造工艺，以保证后道加工的成品率。

发明内容

本发明提供的一种薄硅片的制作方法，其目的在于现有技术中存在的上述问题。

本发明采用的技术方案如下：

一种薄硅片的制作方法，包括以下步骤：（1）、用抛光机台对硅片的第一面进行抛光；（2）、在硅片的第一面贴上保护膜；（3）、对硅片的第二面进行研磨加工，使硅片减薄；（4）、清除硅片上的保护膜；（5）、用贴蜡机将硅片的第一面贴至辅助硅片上，形成复合硅片；（6）用抛光机台的精抛垫对复合硅片上硅片的第二面进行抛光清洗；（7）对硅片进行脱蜡处理。

进一步，所述步骤（1）中，使用双面抛光工艺进行抛光，且抛光机台的上、下盘分别使用细抛垫和粗抛垫，并用粗抛垫和细抛光垫依次加工硅片的第一面。

进一步，所述步骤（1）中，抛光机台所用的抛光液为添加有分散剂TX-10的硅溶胶抛光液。

更进一步，所述步骤（1）中，将将添加有分散剂TX-10的硅溶胶抛光液的PH值调高到11～12进行使用。

进一步，所述步骤（1）和步骤（2）之间还包括以下步骤：对硅片进行清洗和检验，即将从抛光机台取出的硅片先进入清水降温并清除大部分的抛光液；然后将硅片放入10%的乙酸溶液中，进行酸碱中和反应；待检验员进行检验时，将硅片放入0.5%的氢氟酸和1%乙酸混合液洗液中清洗，再使用纯水冲洗。

进一步，所述步骤（6）的抛洗清洗中，耗材主要为18兆纯水和10%浓度抛光液，去除研磨后细微的磨痕。

进一步，还包括步骤（8）：对硅片进行清洗，即使用10%溶度盐酸、5%的双氧水混合溶液去除金属离子，再用超纯水清洗；使用5%的氨水，5%双氧水混合液去除有机物，再用超纯水清洗；使用10%氢氟酸，5%硝酸，5%冰醋酸混合液去除氧化层，再用超纯水清洗。

进一步，还包括步骤（9）：对硅片进行烘干并包装，即将硅片放入离心甩干机进行甩干，再烘干；然后将硅片装盒并抽真空，再使用PE塑料袋通入氮气包装。

进一步，所述步骤（6）中，将抛光机台的抛光液使用温度控制在30°以内。

和现有的技术相比，本发明的优点在于：

本发明从抛光机台，抛光液，清洗方法，使用辅助硅片、蜡、uv蓝膜等多方面进行制造工艺的全面改进，可以生产出更薄的硅片，并且提高薄硅片的质量，加快生成速度，降低生产成本。

具体实施方式

下面说明本发明的具体实施方式。为了全面理解本发明，下面描述到许多细节，但对于本领域技术人员来说，无需这些细节也可实现本发明。