[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其为在供给包含硅的原料气体和将所述硅进行氮化的第1氮化气体时，在表面具备直至氮化硅膜生长开始所需的孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板上，成膜该氮化硅膜的成膜方法，

所述成膜方法具备如下工序：

向所述基板供给由具有Si-Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；

向所述基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；

依次重复进行供给所述处理气体的工序与供给所述第2氮化气体的工序，形成覆盖所述第1膜和所述第2膜的氮化硅的薄层的工序；

为了将所述氮化硅的薄层改性，向所述基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，

向所述基板供给所述原料气体和所述第1氮化气体，在经改性的所述氮化硅的薄层上成膜所述氮化硅膜的工序。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，构成所述处理气体的卤化硅为六氯化二硅。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，所述等离子体化的改性用气体为等离子体化的氨气。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜方法，其中，所述第1膜为硅膜，所述第2膜包含氧化硅膜或者金属膜。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，所述第2膜包含金属膜，该金属膜为钨膜。

6.一种成膜装置，其为在供给包含硅的原料气体和将所述硅进行氮化的第1氮化气体时，在表面具备直至氮化硅膜生长开始所需的孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板上，成膜该氮化硅膜的成膜装置，

所述成膜装置具备：

旋转台，其载置所述基板并使其公转；

处理气体供给部，其向所述旋转台上供给由具有Si-Si键的卤化硅构成的处理气体；

氮化气体供给部，其向所述旋转台上供给所述第1氮化气体和第2氮化气体；

原料气体供给部，其向所述旋转台上供给所述原料气体；

改性用气体供给部，其向所述旋转台上供给改性用气体；

等离子体形成机构，其将向所述旋转台上供给的改性用气体等离子体化；

控制部，其以进行如下步骤的方式构成：为了形成覆盖所述第1膜和所述第2膜的氮化硅的薄层，向公转的所述基板交替地重复供给所述处理气体和未经等离子体化的所述第2氮化气体的步骤，为了将所述硅的薄层改性，向公转的所述基板供给所述改性用气体，且将该改性用气体等离子体化的步骤，为了在经改性的所述氮化硅的薄层上成膜所述氮化硅膜，向公转的所述基板交替地重复供给所述原料气体与所述第1氮化气体的步骤。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其中，设有如下气体供给部：

第1气体供给部，其向所述旋转台上的第1区域供给气体；和，

第2气体供给部，其向相对于所述旋转台上的所述第1区域、与该旋转台的旋转方向偏离、且气氛被分离的第2区域供给气体并将该气体等离子体化，

所述原料气体供给部和所述处理气体供给部为所述第1气体供给部，

所述氮化气体供给部和改性用气体供给部为所述第2气体供给部，

所述等离子体形成机构以能将所述第2区域中的气体等离子体化的方式构成。