[发明专利]成膜方法和成膜装置

说明书

本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。

技术领域

本公开涉及成膜方法和成膜装置。

背景技术

半导体制造工序中，有时进行在作为基板的半导体晶圆(以下，称为晶圆)上形成SiN(氮化硅)膜的成膜处理。有时在该晶圆的表面会露出后述的孵育时间分别不同的膜，但即使在上述情况下，也要求在该晶圆的面内各部以均匀性高的膜厚形成上述SiN膜。专利文献1中记载了如下方案：向表面露出有Si(硅)膜和SiO₂(氧化硅)膜的晶圆供给并吸附NH₃(氨)，然后，使晶圆暴露于Ar(氩气)气体等离子体，使上述各膜氮化。然后，在该氮化后，将包含硅的原料气体和等离子体化的NH₃气体交替地供给到晶圆，从而成膜SiN(氮化硅)膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-175106号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种技术：当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，能抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。

用于解决问题的方案

本公开的成膜方法为在供给包含硅的原料气体和将前述硅进行氮化的第1氮化气体时，在表面具备直至氮化硅膜生长开始所需的孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板上成膜该氮化硅膜的成膜方法，

所述成膜方法具备如下工序：

向前述基板供给由具有Si-Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；

向前述基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；

依次重复进行供给前述处理气体的工序与供给前述第2氮化气体的工序，形成覆盖前述第1膜和前述第2膜的氮化硅的薄层的工序；

为了将前述氮化硅的薄层改性，向前述基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，

向前述基板供给前述原料气体和前述第1氮化气体，在经改性的前述氮化硅的薄层上成膜前述氮化硅膜的工序。

发明的效果

根据本公开，提供一种技术：当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，能抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。

附图说明

图1为作为本公开的一实施方式的成膜装置的纵切侧视图。

图2为前述成膜装置的横切俯视图。

图3为前述喷头的纵切侧视图。

图4为设置于前述成膜装置的喷头的仰视图。

图5为由前述成膜装置处理的晶圆的纵切侧视图。

图6为前述晶圆的纵切侧视图。