[发明专利]图形修正方法及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种图形修正方法，其特征在于，包括：

提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一待修正图形，所述第一待修正图形具有第一点，相邻所述第一待修正图形通过所述第一点相接；

获取第一待修正图形的第一类线段和第二类线段，所述第一类线段与所述第一点相接；

对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正，获取修正版图，所述修正版图包括第一修正图形；

对所述修正版图进行光学邻近效应修正。

2.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，获取第一类线段和第二类线段的方法包括：将所述第一待修正图形的轮廓分割成预设数量的若干线段，若干所述线段包括第一类线段和第二类线段，所述第一类线段为与第一点相接的线段，所述第二类线段为除第一类线段之外的线段。

3.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正的方法包括：提供刻蚀偏差；根据刻蚀偏差对所述第二类线段进行偏移，获取第一修正图形。

4.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，所述待修正版图还包括若干第二待修正图形；所述图形修正方法还包括：将所述第二待修正图形的轮廓进行分割，获取所述第二待修正图形的若干线段；对所述第二待修正图形的若干线段进行修正，获取第二修正图形；所述修正版图还包括第二修正图形。

5.如权利要求4所述的图形修正方法，其特征在于，对所述第二待修正图形的若干线段进行修正的方法包括：提供刻蚀偏差；根据刻蚀偏差对所述第二待修正图形的若干线段进行偏移，获取第二修正图形。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底上形成若干初始栅极结构，若干所述初始栅极结构在衬底上平行排列；

在若干初始栅极结构上形成图形化层，所述图形化层暴露出部分初始栅极结构；

以所述图形化层为掩膜，对暴露出的初始栅极结构进行刻蚀；

所述图形化层图形的修正方法包括：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一待修正图形，所述第一待修正图形具有第一点，相邻所述第一待修正图形通过所述第一点相接；获取第一待修正图形的第一类线段和第二类线段，所述第一类线段与所述第一点相接；对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正，获取修正版图，所述修正版图包括第一修正图形；对所述修正版图进行光学邻近效应修正。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，获取第一类线段和第二类线段的方法包括：将所述第一待修正图形的轮廓分割成预设数量的若干线段，若干所述线段包括第一类线段和第二类线段，所述第一类线段为与第一点相接的线段，所述第二类线段为除第一类线段之外的线段。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正的方法包括：提供刻蚀偏差；根据刻蚀偏差对所述第二类线段进行偏移，获取第一修正图形。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待修正版图还包括若干第二待修正图形；所述图形修正方法还包括：将所述第二待修正图形的轮廓进行分割，获取所述第二待修正图形的若干第三线段；对所述第二待修正图形的若干第三线段进行修正，获取第二修正图形；所述修正版图还包括第二修正图形。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第二待修正图形的若干线段进行修正的方法包括：提供刻蚀偏差；根据刻蚀偏差对所述第二待修正图形的若干线段进行偏移，获取第二修正图形。