[发明专利]图形修正方法及半导体结构的形成方法在审
申请号: | 202010791533.1 | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN114063380A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 胡月;舒强;王占雨;张迎春 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20;H01L21/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图形 修正 方法 半导体 结构 形成 | ||
1.一种图形修正方法,其特征在于,包括:
提供待修正版图,所述待修正版图具有若干第一待修正图形,所述第一待修正图形具有第一点,相邻所述第一待修正图形通过所述第一点相接;
获取第一待修正图形的第一类线段和第二类线段,所述第一类线段与所述第一点相接;
对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正,获取修正版图,所述修正版图包括第一修正图形;
对所述修正版图进行光学邻近效应修正。
2.如权利要求1所述的图形修正方法,其特征在于,获取第一类线段和第二类线段的方法包括:将所述第一待修正图形的轮廓分割成预设数量的若干线段,若干所述线段包括第一类线段和第二类线段,所述第一类线段为与第一点相接的线段,所述第二类线段为除第一类线段之外的线段。
3.如权利要求1所述的图形修正方法,其特征在于,对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正的方法包括:提供刻蚀偏差;根据刻蚀偏差对所述第二类线段进行偏移,获取第一修正图形。
4.如权利要求1所述的图形修正方法,其特征在于,所述待修正版图还包括若干第二待修正图形;所述图形修正方法还包括:将所述第二待修正图形的轮廓进行分割,获取所述第二待修正图形的若干线段;对所述第二待修正图形的若干线段进行修正,获取第二修正图形;所述修正版图还包括第二修正图形。
5.如权利要求4所述的图形修正方法,其特征在于,对所述第二待修正图形的若干线段进行修正的方法包括:提供刻蚀偏差;根据刻蚀偏差对所述第二待修正图形的若干线段进行偏移,获取第二修正图形。
6.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在衬底上形成若干初始栅极结构,若干所述初始栅极结构在衬底上平行排列;
在若干初始栅极结构上形成图形化层,所述图形化层暴露出部分初始栅极结构;
以所述图形化层为掩膜,对暴露出的初始栅极结构进行刻蚀;
所述图形化层图形的修正方法包括:提供待修正版图,所述待修正版图具有若干第一待修正图形,所述第一待修正图形具有第一点,相邻所述第一待修正图形通过所述第一点相接;获取第一待修正图形的第一类线段和第二类线段,所述第一类线段与所述第一点相接;对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正,获取修正版图,所述修正版图包括第一修正图形;对所述修正版图进行光学邻近效应修正。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,获取第一类线段和第二类线段的方法包括:将所述第一待修正图形的轮廓分割成预设数量的若干线段,若干所述线段包括第一类线段和第二类线段,所述第一类线段为与第一点相接的线段,所述第二类线段为除第一类线段之外的线段。
8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正的方法包括:提供刻蚀偏差;根据刻蚀偏差对所述第二类线段进行偏移,获取第一修正图形。
9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述待修正版图还包括若干第二待修正图形;所述图形修正方法还包括:将所述第二待修正图形的轮廓进行分割,获取所述第二待修正图形的若干第三线段;对所述第二待修正图形的若干第三线段进行修正,获取第二修正图形;所述修正版图还包括第二修正图形。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,对所述第二待修正图形的若干线段进行修正的方法包括:提供刻蚀偏差;根据刻蚀偏差对所述第二待修正图形的若干线段进行偏移,获取第二修正图形。
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G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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