[发明专利]图形修正方法及半导体结构的形成方法

说明书

一种图形修正方法及半导体结构的形成方法，图形修正方法包括：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一待修正图形，所述第一待修正图形具有第一点，相邻所述第一待修正图形通过所述第一点相接；获取第一待修正图形的第一类线段和第二类线段，所述第一类线段与所述第一点相接；对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正，获取修正版图，所述修正版图包括第一修正图形；对所述修正版图进行光学邻近效应修正。以所述方法获取的第一修正图形经过光学邻近效应修正后的光刻图形，所述光刻图形的尺寸精准度较高。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种图形修正方法及半导体结构的形成方法。

背景技术

为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，采用现有的光学邻近模型对掩膜图形进行修正后进行曝光得到的光刻图形与目标图形间的尺寸误差较大。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种图形修正方法及半导体结构的形成方法，以改善图形修正效果。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种图形修正方法，包括：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一待修正图形，所述第一待修正图形具有第一点，相邻所述第一待修正图形通过所述第一点相接；获取第一待修正图形的第一类线段和第二类线段，所述第一类线段与所述第一点相接；对所述第一待修正图形的若干第二类线段进行修正，获取修正版图，所述修正版图包括第一修正图形。

可选的，获取第一类线段和第二类线段的方法包括：将所述第一待修正图形的轮廓分割成预设数量的若干线段，若干所述线段包括第一类线段和第二类线段，所述第一类线段为与第一点相接的线段，所述第二类线段为除第一类线段之外的线段。

可选的，对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正的方法包括：提供刻蚀偏差；根据刻蚀偏差对所述第二类线段进行偏移，获取第一修正图形。

可选的，所述待修正版图还包括若干第二待修正图形；所述图形修正方法还包括：将所述第二待修正图形的轮廓进行分割，获取所述第二待修正图形的若干线段；对所述第二待修正图形的若干线段进行修正，获取第二修正图形；所述修正版图还包括第二修正图形。

可选的，对所述第二待修正图形的若干第三线段进行修正的方法包括：提供刻蚀偏差；根据刻蚀偏差对所述第二待修正图形的若干线段进行偏移，获取第二修正图形。

可选的，还包括：对所述修正版图进行光学邻近效应修正。