[发明专利]一种半导体器件制作方法、半导体结构和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，该制作方法包括至少一半导体结构的制备，所述半导体结构的制备包括以下制作方法：

提供一图案化晶圆；

提供一伪晶圆；

将所述图案化晶圆的背面与所述伪晶圆表面相键合；

在所述图案化晶圆正面制作堆叠电路结构；

所述半导体器件还包括第一倒装器件单元，所述制作方法还包括将所述第一倒装器件单元倒装键合在所述半导体结构顶部的过程；

在所述第一倒装器件单元的图案化晶圆背面依次堆叠制作至少一个堆叠电路体的过程，所述堆叠电路体包括形成于第一倒装器件单元的图案化晶圆背面的堆叠连接电路和倒装在所述堆叠连接电路上的第二倒装器件单元。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述第一倒装器件单元的制作过程与所述半导体结构的制作过程相同。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在所述第一倒装器件单元倒装键合后移除所述单元内伪晶圆的过程。

4.根据权利要求3所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述移除所述伪晶圆的过程包括通过激光灼烧的方式将所述伪晶圆从所述图案化晶圆上剥离。

5.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在所述图案化晶圆和所述伪晶圆键合之前对键合面进行表面处理的过程。

6.根据权利要求5所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述表面处理的过程包括对所述表面的平坦化过程。

7.根据权利要求5所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述表面处理的过程包括等离子表面处理或表面涂层处理的过程。

8.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在所述图案化晶圆和所述伪晶圆键合之前将所述图案化晶圆和所述伪晶圆同轴对准的过程。

9.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述图案化晶圆和所述伪晶圆采用表面活化键合法实现键合。

10.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述第二倒装器件单元的制作过程与所述半导体结构的制作过程相同。

11.根据权利要求10所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在所述第二倒装器件单元与所述堆叠连接电路键合后移除所述半导体结构和所述第二倒装器件单元内所述伪晶圆的过程。

12.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述半导体结构、第一倒装器件单元和所述第二倒装器件单元内的所述堆叠电路结构包括逻辑器件、存储器、图像传感器电路中的任意一种或多种。

13.一种半导体器件，其特征在于，包括至少一半导体结构，所述半导体结构包括：伪晶圆，所述伪晶圆上设置有第一表面；图案化晶圆，所述图案化晶圆的背面键合连接在所述伪晶圆的第一表面上；堆叠电路结构，所述堆叠电路结构形成在所述图案化晶圆的正面，所述堆叠电路结构包括逻辑器件、存储器、图像传感器电路中的任意一种或多种；

所述半导体器件还包括：第一倒装器件单元，所述第一倒装器件单元倒装键合在所述半导体结构的顶部；至少一个堆叠设置在所述第一倒装器件单元图案化晶圆背面的堆叠电路体，所述堆叠电路体包括设置在第一倒装器件单元图案化晶圆背面的堆叠连接电路和倒装在所述堆叠连接电路上的第二倒装器件单元。

14.根据权利要求13中的半导体器件，其特征在于，所述第一倒装器件单元为包含有伪晶圆的半导体结构。