[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置在审
申请号: | 202010794976.6 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN114077515A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 陈秉正 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;臧建明 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 写入 方法 存储器 控制电路 单元 以及 存储 装置 | ||
1.一种数据写入方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个管理单元,所述多个管理单元包括多个芯片致能群组,每个所述多个芯片致能群组包括多个平面,每个所述多个平面包括多个物理程序化单元,所述多个芯片致能群组包括第一芯片致能群组及第二芯片致能群组,且所述数据写入方法包括:
从主机系统接收第一数据及第二数据;
根据所述第一数据产生第一阵列错误校正码,并根据所述第二数据产生第二阵列错误校正码;
使用第一程序化模式将包括所述第一阵列错误校正码的第一群组程序化至所述第一芯片致能群组中;以及
使用第二程序化模式将包括所述第二阵列错误校正码的第二群组程序化至所述第二芯片致能群组中,所述第二程序化模式不同于所述第一程序化模式,
其中所述第一阵列错误校正码及所述第二阵列错误校正码分别用以校正存有所述第一数据及所述第二数据的所述多个物理程序化单元。
2.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中所述第一数据的数据量与所述第二数据的数据量不同,所述第一阵列错误校正码与所述第二阵列错误校正码可校正的所述多个物理程序化单元的数量不同。
3.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中在所述第一程序化模式中根据第一程序化顺序将所述第一阵列错误校正码程序化至第一超物理程序化单元,
在所述第二程序化模式中根据第二程序化顺序将所述第二阵列错误校正码程序化至第二超物理程序化单元,
其中所述第一程序化顺序不同于所述第二程序化顺序。
4.根据权利要求3所述的数据写入方法,其中所述第一超物理程序化单元具有多个物理程序化单元,其中,第一物理程序化单元为所述第一超物理程序化单元中最后被程序化的物理程序化单元,
其中所述第二超物理程序化单元具有多个物理程序化单元,其中,第二物理程序化单元为所述第二超物理程序化单元中最后被程序化的物理程序化单元,且所述第一物理程序化单元于所述第一超物理程序化单元中的相对位置不同于所述第二物理程序化单元于所述第二超物理程序化单元中的相对位置。
5.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中超物理抹除单元中包含所述第一芯片致能群组及所述第二芯片致能群组,其中程序化至所述第一芯片致能群组的所述第一阵列错误校正码的组数相同于程序化至所述第二芯片致能群组的所述第二阵列错误校正码的组数,其中所述超物理抹除单元为最小的数据抹除管理单位。
6.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中所述第一阵列错误校正码包括第一部分阵列错误校正码及第二部分阵列错误校正码。
7.根据权利要求6所述的数据写入方法,所述方法还包括:
将所述第一部分阵列错误校正码暂存在缓冲存储器中;以及
在根据所述第一数据产生所第二部分阵列错误校正码之后,将所述第一部分阵列错误校正码及所述第二部分阵列错误校正码分别程序化至所述第一芯片致能群组包括的不同所述平面的所述多个物理程序化单元中。
8.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中所述第一阵列错误校正码及所述第二阵列错误校正码为奇偶校正码,所述第一阵列错误校正码用以当存有所述第一数据的所述物理程序化单元的至少其中之一产生错误时,根据奇偶校正算法修正产生错误的所述物理程序化单元,所述第二阵列错误校正码用以当存有所述第二数据的所述物理程序化单元的至少其中之一产生错误时,根据所述奇偶校正算法修正产生错误的所述物理程序化单元。
9.根据权利要求1所述的数据写入方法,所述方法还包括:
根据所述第一数据产生冗余错误校正码,所述冗余错误校正码用以校正被写入至少部分所述第一数据的单个所述物理程序化单元,
其中所述冗余错误校正码能校正的比特数小于所述第一阵列错误校正码能校正的比特数。
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