[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置

说明书

本发明提供一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。所述方法包括：从主机系统接收第一数据及第二数据；根据所述第一数据产生第一阵列错误校正码，并根据所述第二数据产生第二阵列错误校正码；使用第一程序化模式将包括所述第一阵列错误校正码的第一群组程序化至第一芯片致能群组中；以及使用第二程序化模式将包括所述第二阵列错误校正码的第二群组程序化至所述第二芯片致能群组中。

技术领域

本发明涉及一种数据写入方法，尤其涉及一种用于可复写式非易失性存储器模块的数据写入方法、以及使用此方法的存储器控制电路单元与存储器存储装置。

背景技术

数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memorymodule)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小、读写速度快，以及无机械结构等特性，所以非常适合作为存储媒体而内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

一般来说，为了确保数据的安全性，存储在可复写式非易失性存储器模块中的数据会被编码以产生一个错误校正码。若数据中发生错误，此错误校正码可以用来更改发生的错误。一种作法是，可复写式非易失性存储器模块中包括了多个存储器芯片，其中一个存储器芯片会被用来存储错误校正码，而其他的存储器芯片可用来存储数据。如此一来，当存储数据的一个存储器芯片损坏时，可以用其他的数据与错误校正码来回复损坏的数据。然而，一般读取数据时，若数据没有损坏则不需要读取错误校正码，使得读取数据时每个存储器芯片的负载不同，而造成数据读取没有效率。因此，如何增加存储器空间的使用效率并提升数据读取的效能，为本领域技术人员所关心的议题。

发明内容

本发明提供一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置，可通过平均分散阵列错误校正码来提升数据读取效率。

本发明的范例实施例提供一种数据写入方法，用于可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个管理单元，所述多个管理单元包括多个芯片致能群组，每个所述多个芯片致能群组包括多个平面，每个所述多个平面包括多个物理程序化单元，所述多个芯片致能群组包括第一芯片致能群组及第二芯片致能群组。所述数据写入方法包括：从主机系统接收第一数据及第二数据；根据所述第一数据产生第一阵列错误校正码，并根据所述第二数据产生第二阵列错误校正码；使用第一程序化模式将包括所述第一阵列错误校正码的第一群组程序化至所述第一芯片致能群组中；以及使用第二程序化模式将包括所述第二阵列错误校正码的第二群组程序化至所述第二芯片致能群组中。所述第二程序化模式不同于所述第一程序化模式，并且所述第一阵列错误校正码及所述第二阵列错误校正码分别用以校正存有所述第一数据及所述第二数据的所述多个物理程序化单元。

在本发明的一范例实施例中，所述第一数据的数据量与所述第二数据的数据量不同，所述第一阵列错误校正码与所述第二阵列错误校正码可校正的所述多个物理程序化单元的数量不同。

在本发明的一范例实施例中，在所述第一程序化模式中根据第一程序化顺序将所述第一阵列错误校正码程序化至第一超物理程序化单元，在所述第二程序化模式中根据第二程序化顺序将所述第二阵列错误校正码程序化至第二超物理程序化单元，其中所述第一程序化顺序不同于所述第二程序化顺序。

在本发明的一范例实施例中，所述第一超物理程序化单元具有多个物理程序化单元，其中，第一物理程序化单元为所述第一超物理程序化单元中最后被程序化的物理程序化单元。所述第二超物理程序化单元具有多个物理程序化单元，其中，第二物理程序化单元为所述第二超物理程序化单元中最后被程序化的物理程序化单元，且所述第一物理程序化单元于所述第一超物理程序化单元中的相对位置不同于所述第二物理程序化单元于所述第二超物理程序化单元中的相对位置。