[发明专利]闪存单元及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存单元的制造方法，其特征在于，包括：

提供一具有隔离侧墙的基底，且所述隔离侧墙的底部存在凹陷；

在所述基底上形成第一接触刻蚀停止层，且所述第一接触刻蚀停止层还填充所述凹陷；

刻蚀所述第一接触刻蚀停止层，且所述凹陷中的第一接触刻蚀层停止层被保留；以及，

在所述基底以及所述凹陷中的第一接触刻蚀层停止层上形成第二接触刻蚀停止层。

2.如权利要求1所述的闪存单元的制造方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上方的栅极结构，所述隔离侧墙位于所述衬底上且位于所述栅极结构两侧。

3.如权利要求2所述的闪存单元的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括从下至上依次层叠的隧穿介质层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层。

4.如权利要求3所述的闪存单元的制造方法，其特征在于，所述栅间介质层包括ONO介质层，且所述ONO介质层包括从下至上依次层叠的第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层。

5.如权利要求2所述的闪存单元的制造方法，其特征在于，所述隔离侧墙包括第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙包括覆盖所述栅极结构侧表面的第一部分以及覆盖所述衬底的第二部分，所述第二侧墙位于所述第二部分上方，所述凹陷位于所述第二部分的侧表面上。

6.如权利要求1所述的闪存单元的制造方法，其特征在于，所述第一接触刻蚀停止层的材料包括氮化硅或者氮氧化硅。

7.如权利要求1所述的闪存单元的制造方法，其特征在于，采用PECVD方法形成所述第一接触刻蚀停止层和第二接触刻蚀停止层。

8.如权利要求1所述的闪存单元的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀的方法去除所述第一接触刻蚀停止层。

9.如权利要求8所述的闪存单元的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀的气体包括CF4、C2F6、SiF4、NF3、CHF3中的至少一种。

10.如权利要求1所述的闪存单元的制造方法，其特征在于，所述栅极结构上方的所述第一接触刻蚀停止层的厚度为36nm～44nm。

11.一种根据权利要求1～10任一项制造方法所制造的闪存单元，其特征在于，包括：

具有隔离侧墙的基底，且所述隔离侧墙的底部存在凹陷；

填充所述凹陷的第一接触刻蚀停止层；以及，

覆盖所述基底以及第一接触刻蚀停止层的第二接触刻蚀停止层。