[发明专利]闪存单元及其制造方法

说明书

本发明提供了一种闪存单元及其制造方法，其中，所述闪存单元的制造方法包括：首先，提供一具有隔离侧墙的基底，且所述隔离侧墙的底部存在凹陷；然后，在所述基底上形成第一接触刻蚀停止层，且所述第一接触刻蚀停止层还填充所述凹陷；其次，刻蚀所述第一接触刻蚀停止层，且所述凹陷中的第一接触刻蚀层停止层被保留；最后，在所述基底以及所述凹陷中的第一接触刻蚀层停止层上形成第二接触刻蚀停止层。本发明通过两次形成接触刻蚀停止层，可以改善隔离侧墙底部被覆盖不足的问题，进而可以解决闪存单元出现数据保存失败的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种闪存单元及其制造方法。

背景技术

闪存是一种广泛使用的非易失性计算机存储技术，通常采用浮栅或者电荷捕获结构在场效应晶体管中存储电荷，构成存储单元。

根据读操作时逻辑门的区别，闪存分两种：NAND型和NOR型。NOR型闪存可以对其每一个存储单元进行独立的读写操作，提供了完全的随机存取功能，因此能用于可执行程序的非易失性存储，可取代易失性的SRAM和DRAM。并且，NOR型闪存相比于NAND型闪存有很大的技术优势：提供通用型的非易失性存储器，具有完全随机存取功能，可用于数据存储以及可执行程序代码存储。

目前90nm的Nor型闪存存在隔离侧墙底部被接触刻蚀停止层覆盖不足的问题，从而在后端制程中产生的钠离子会钻入隔离侧墙，堆积在栅极结构的旁边，进而会导致闪存单元出现数据保存失败的后果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存单元以及其制造方法，以解决隔离侧墙底部被接触刻蚀停止层覆盖不足的问题，进而阻隔后端制程产生的钠离子进入隔离侧墙，解决闪存单元出现数据保存失败的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存单元的制造方法，包括：

提供一具有隔离侧墙的基底，且所述隔离侧墙的底部存在凹陷；

在所述基底上形成第一接触刻蚀停止层，且所述第一接触刻蚀停止层还填充所述凹陷；

刻蚀所述第一接触刻蚀停止层，且所述凹陷中的第一接触刻蚀层停止层被保留；以及，

在所述基底以及所述凹陷中的第一接触刻蚀层停止层上形成第二接触刻蚀停止层。

可选的，在所述的闪存单元的制造方法中，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上方的栅极结构，所述隔离侧墙位于所述衬底上且位于所述栅极结构两侧。

可选的，在所述的闪存单元的制造方法中，所述栅极结构包括从下至上依次层叠的隧穿介质层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层。

可选的，在所述的闪存单元的制造方法中，所述栅间介质层包括ONO介质层，且所述ONO介质层包括从下至上依次层叠的第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层。

可选的，在所述的闪存单元的制造方法中，所述隔离侧墙包括第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙包括覆盖所述栅极结构侧表面的第一部分以及覆盖所述衬底的第二部分，所述第二侧墙位于所述第二部分上方，所述凹陷位于所述第二部分的侧表面上。

可选的，在所述的闪存单元的制造方法中，所述第一接触刻蚀停止层的材料包括氮化硅或者氮氧化硅。

可选的，在所述的闪存单元的制造方法中，采用PECVD方法形成所述第一接触刻蚀停止层和第二接触刻蚀停止层。

可选的，在所述的闪存单元的制造方法中，采用干法刻蚀的方法去除所述第一接触刻蚀停止层。

可选的，在所述的闪存单元的制造方法中，所述干法刻蚀的气体包括CF4、C2F6、SiF4、NF3、CHF3中的至少一种。

可选的，在所述的闪存单元的制造方法中，所述栅极结构上方的所述第一接触刻蚀停止层的厚度为36nm～44nm。