[发明专利]籽晶生长的工艺方法在审
| 申请号： | 202010797866.5 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN114075691A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王全志 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人： | 么立双 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 籽晶 生长 工艺 方法 | ||
1.一种籽晶生长的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括：
将硅料放置于炉体内加热；
对所述炉体加热至第一预定阶段，所述炉体内压力设定为90-100mbar，所述炉体内进气量和出气量均小于10nl/min；
对所述炉体加热至第二预定阶段，所述炉体内压力设定为250-350mbar，所述炉体内进气量和出气量均小于10nl/min。
2.根据权利要求1所述的籽晶生长的工艺方法，其特征在于，对所述炉体加热至第二预定阶段后，对所述炉体加热至第三预定阶段，从所述第二预定阶段到所述第三预定阶段之间，所述炉体内压力设定为250-350mbar，所述炉体内进气量小于10nl/min，所述炉体内出气量为5-15nl/min。
3.根据权利要求2所述的籽晶生长的工艺方法，其特征在于，对所述炉体加热至第三预定阶段后，对所述炉体加热至第四预定阶段，从所述第三预定阶段到所述第四预定阶段之间，所述炉体内压力设定为550-650mbar，所述炉体内进气量为55-65nl/min，所述炉体内出气量小于10nl/min。
4.根据权利要求3所述的籽晶生长的工艺方法，其特征在于，进入所述第四预定阶段之前，所述炉体内出现熔体。
5.根据权利要求3所述的籽晶生长的工艺方法，其特征在于，所述第四预定阶段结束之前所述炉体内硅料熔化结束。
6.根据权利要求3所述的籽晶生长的工艺方法，其特征在于，进入所述第四预定阶段之前，所述炉体内的调压模式为进气模式；
进入所述第四预定阶段之后，所述炉体内的调压模式为出气模式。
7.根据权利要求1所述的籽晶生长的工艺方法，其特征在于，对所述炉体加热至第一预定阶段时，所述炉体内部温度为950-1050℃。
8.根据权利要求1所述的籽晶生长的工艺方法，其特征在于，所述炉体处于所述第二预定阶段时，所述炉体内部温度大于1000℃。
9.根据权利要求1所述的籽晶生长的工艺方法，其特征在于，在所述炉体进入所述第二阶段之前，所述炉体内的压力模式为真空模式。
10.根据权利要求1所述的籽晶生长的工艺方法，其特征在于，在所述炉体进入所述第二阶段之后，所述炉体内的压力模式为压力模式。
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