[发明专利]籽晶生长的工艺方法

说明书

本发明公开了一种籽晶生长的工艺方法，籽晶生长的工艺方法包括：将硅料放置于炉体内加热；对炉体加热至第一预定阶段，炉体内压力设定为90‑100mbar，炉体内进气量和出气量均小于10nl/min；对炉体加热至第二预定阶段，炉体内压力设定为250‑350mbar，炉体内进气量和出气量均小于10nl/min。根据本发明的籽晶生长的工艺方法，通过控制炉体内压力，且使进气量和出气量均小于10nl/min，由此可以降低气流流动速度，可以防止气流流向炉体的底部，从而可以避免气流激发炉体内底部的杂质，进而可以避免杂质与硅料融合，提升籽晶纯度。

技术领域

本发明涉及类单晶工艺技术领域，尤其是涉及一种籽晶生长的工艺方法。

背景技术

类单晶的生长要求在一个完全对称的热场结构中，对称的热场结构有一个明显的特点就是熔体流动性会弱一些，在铸造过程中，当气体流到坩埚底部，坩埚底部的涂层内部含有较多的杂质，同时气体本身也会携带杂质，气体激起涂层杂质的“浮尘”，随着气体向上流动，在高温下与硅蒸气反应，形成氮化硅，碳化硅，氧化硅及其他复合氧化物等，沉积在籽晶缝隙中或者硅料上，就会显现出不同的彩色薄膜。

沉积在籽晶间的缝隙的杂质，随着气体向上流动进入上面的硅料中，但是类单晶的对称性热场结构，熔体流动性较弱，杂质很难通过分凝排到硅锭头部，而留在了硅锭中，从而检测到黑色的杂质点。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出了一种籽晶生长的工艺方法，所述籽晶生长的工艺方法具有简单、籽晶杂质少的优点。

根据本发明实施例的籽晶生长的工艺方法，所述工艺方法包括：

将硅料放置于炉体内加热；

对所述炉体加热至第一预定阶段，所述炉体内压力设定为90-100mbar，所述炉体内进气量和出气量均小于10nl/min；

对所述炉体加热至第二预定阶段，所述炉体内压力设定为250-350mbar，所述炉体内进气量和出气量均小于10nl/min。

根据本发明实施例的籽晶生长的工艺方法，通过控制炉体内压力，且使进气量和出气量均小于10nl/min，由此可以降低气流流动速度，可以防止气流流向炉体的底部，从而可以避免气流激发炉体内底部的杂质，进而可以避免杂质与硅料融合，提升籽晶纯度。

在一些实施例中，对所述炉体加热至第二预定阶段后，对所述炉体加热至第三预定阶段，从所述第二预定阶段到所述第三预定阶段之间，所述炉体内压力设定为250-350mbar，所述炉体内进气量小于10nl/min，所述炉体内出气量为5-15nl/min。

在一些实施例中，对所述炉体加热至第三预定阶段后，对所述炉体加热至第四预定阶段，从所述第三预定阶段到所述第四预定阶段之间，所述炉体内压力设定为550-650mbar，所述炉体内进气量为55-65nl/min，所述炉体内出气量小于10nl/min。

在一些实施例中，进入所述第四预定阶段之前，所述炉体内出现熔体。

在一些实施例中，所述第四预定阶段结束之前所述炉体内硅料熔化结束。

在一些实施例中，进入所述第四预定阶段之前，所述炉体内的调压模式为进气模式；进入所述第四预定阶段之后，所述炉体内的调压模式为出气模式。

在一些实施例中，对所述炉体加热至第一预定阶段时，所述炉体内部温度为950-1050℃。

在一些实施例中，所述炉体处于所述第二预定阶段时，所述炉体内部温度大于1000℃。

在一些实施例中，在所述炉体进入所述第二阶段之前，所述炉体内的压力模式为真空模式。

在一些实施例中，在所述炉体进入所述第二阶段之后，所述炉体内的压力模式为压力模式。