[发明专利]OPC光强度验证模型生成方法及生成模块有效
| 申请号： | 202010798558.4 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN111999986B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 敖振宇;曾鼎程;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | opc 强度 验证 模型 生成 方法 模块 | ||
1.一种OPC光强度验证模型生成方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵（FEM）数据；
S2，建立该图形的OPC光学模型；
S3，建立该图形的仿真验证光学模型；
S4，将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
S5，获取仿真验证光学模型标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中标记电路布局图像的光强度物理量；
S6，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
S7，形成OPC光强度验证模型。
2.如权利要求1所述的OPC光强度验证模型生成方法，其特征在于：仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
3.如权利要求1所述的OPC光强度验证模型生成方法，其特征在于：其能应用于逻辑器件和/或存储器件。
4.一种OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于，包括：
数据收集单元，其用于收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵（FEM）数据；
模型建立单元，其用于分别建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；
标记单元，其用于将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
光强度获取单元，其用于获取仿真验证光学模型标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中标记电路布局图像的光强度物理量；
修正单元，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
模型导出单元，其用于将形成的OPC光强度验证模型导出。
5.如权利要求4所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：其能通过计算机编程手段集成于0PC修正软件。
6.如权利要求5所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：其能通过脚本集成于0PC修正软件。
7.如权利要求5所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
8.如权利要求5所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：其能应用于逻辑器件和/或存储器件。
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