[发明专利]OPC光强度验证模型生成方法及生成模块有效
申请号: | 202010798558.4 | 申请日: | 2020-08-11 |
公开(公告)号: | CN111999986B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 敖振宇;曾鼎程;胡展源 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G06F30/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | opc 强度 验证 模型 生成 方法 模块 | ||
本发明公开了一种OPC光强度验证模型生成方法,包括收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵数据;建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型;将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记;获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量;根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量,修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度,使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致;形成OPC光强度验证模型。本发明还公开了一种OPC光强度验证模型生成模块。本发明能适用于所有光学条件,能准确发现OPC光学模型的光强度薄弱点。
技术领域
本发明涉及集成电路领域,特别是涉及一种OPC(光刻邻近校正)光强度验证模型生成方法。本发明还涉及一种OPC光强度验证模型生成模块。
背景技术
光学邻近修正(OPC)是一种光刻增强技术,OPC主要在半导体芯片的生产过程中使用,目的是为了保证曝光后硅片上得到的实际图形与设计图形一致。若不做光学邻近修正实际曝光后得到的图形将与设计图形有显著差异,如实际线宽度比设计的窄或宽,这些都可以通过改变掩模版来补偿成像;其他的失真,如圆角、光强度,受光学工具分辨率的制约,更加难以弥补。这些失真如果不纠正,可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近修正通过移动掩模版上图形的边缘或添加额外的多边形来补偿这些失真。OPC模型(OPCmodel)主要由掩模模型(mask model,高技术节点OPC模型才使用),光学模型(opticalmodel)及光阻模型(resist model)三部分组成。其中,光学模型(optical model)最能反映OPC模型的物理意义,它决定着最终OPC模型的各项性能。
目前光强度是由正常光学条件下建立模型所推导出,可作为及大多数条件下OPCV判定标准,但少数图形的光强度存在薄弱点则不适应此规格,因此必须建立更严禁的光强度验证模型以作为所有光学条件的标准。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明要解决的技术问题是提供一种能适用于所有光学条件,能准确发现光强度薄弱点的OPC光强度验证模型生成方法。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种能适用于所有光学条件,能准确发现光强度薄弱点的OPC光强度验证模型生成模块。
为解决上述技术问题,本发明提供的OPC光强度验证模型生成方法,包括以下步骤:
S1,收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据;
S2,建立该图形的OPC光学模型;
S3,建立该图形的仿真验证光学模型;
S4,将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记;
S5,获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量;
S6,根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量,修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度,使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致;
S7,形成OPC光强度验证模型。
其中,预设光强度阈值为指定值,也可以通过标定获得,或通过经验值获得。
可选择的,进一步改进所述的OPC光强度验证模型生成方法,仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
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