[发明专利]存储器系统在审
申请号: | 202010799212.6 | 申请日: | 2020-08-11 |
公开(公告)号: | CN112489710A | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 原德正;柴田升 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26;G11C16/34 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 万利军;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 | ||
1.一种存储器系统,具备:
非易失性存储器,其具有多个存储单元,所述多个存储单元中的各个能够通过16个阈值区域来存储由第1位~第4位表示的4位数据,所述16个阈值区域包括表示数据被擦除了的擦除状态的第1阈值区域、和电压电平比所述第1阈值区域的电压电平高且表示被写入了数据的写入状态的第2阈值区域~第16阈值区域;和
控制器,其在使所述非易失性存储器进行了写入所述第1位和所述第2位的数据的第1编程之后,使所述非易失性存储器进行写入所述第3位和所述第4位的数据的第2编程,
存在于所述第1阈值区域~所述第16阈值区域中的相邻的阈值区域之间的15个边界中的用于所述第1位的数据的值的判定的第1边界的数量、用于所述第2位的数据的值的判定的第2边界的数量、用于所述第3位的数据的值的判定的第3边界的数量、用于所述第4位的数据的值的判定的第4边界的数量,依次为1、4、5、5或者4、1、5、5,
所述控制器构成为,使所述非易失性存储器进行所述第1编程,以使得所述存储单元中的阈值区域相应于所述第1位和所述第2位的数据而变为表示数据被擦除了的擦除状态的第17阈值区域、和电压电平比所述第17阈值区域的电压电平高且表示被写入了数据的写入状态的第18阈值区域~第20阈值区域中的某一阈值区域,
所述第n阈值区域的电压电平比所述第(n-1)阈值区域的电压电平高,n为2以上且16以下的自然数,
所述第k阈值区域的电压电平比所述第(k-1)阈值区域的电压电平高,k为18以上且20以下的自然数,
所述控制器构成为,使所述非易失性存储器进行所述第2编程,以使得所述存储单元中的阈值区域相应于所述第3位和所述第4位的数据而从所述第17阈值区域~所述第20阈值区域中的某一阈值区域变为所述第1阈值区域~所述第16阈值区域中的4个阈值区域中的某一阈值区域,
处于所述4个阈值区域中的电压电平最低的阈值区域与电压电平最高的阈值区域之间的阈值区域的个数为4个以内。
2.根据权利要求1所述的存储器系统,
在所述第1阈值区域~所述第16阈值区域中的相邻的阈值区域之间,所述第1位~所述第4位中的一个位的值反转,
所述第1位、所述第2位、所述第3位以及所述第4位是最低位的位、从最低位起的第2个位、从最高位起的第2个位以及最高位的位中的分别不同的位。
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