[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 202010800953.1 申请日: 2020-08-11
公开(公告)号: CN113345869A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 佐贯朋也;藤泽俊雄;前岛洋;前田高志 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/488
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,其具备:

电路芯片;以及

多个存储芯片,层叠于所述电路芯片;

所述多个存储芯片分别具有包括多个存储单元的存储单元阵列;

所述电路芯片具有数据锁存器;

所述数据锁存器保存用来向各个所述存储单元阵列写入或读取数据的页数据。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

所述电路芯片具备生成向各个所述存储单元阵列施加的电压的电压产生电路。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

所述半导体存储装置还具备驱动芯片,所述驱动芯片具备生成向各个所述存储单元阵列施加的电压的电压产生电路。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

所述电路芯片具备所述存储单元阵列的控制信号处理电路。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置,其中,

所述半导体存储装置具有在所述电路芯片与各个所述存储芯片之间进行数据的交换的信号线和所述电路芯片及各个存储芯片的电源线;

所述信号线是无线的。

6.如权利要求5所述的半导体存储装置,其中,

所述电源线是有线的。

7.如权利要求4所述的半导体存储装置,其中,

所述半导体存储装置具有在所述电路芯片与各个所述存储芯片之间进行数据的交换的信号线和所述电路芯片及各个存储芯片的电源线;

所述信号线是有线的。

8.如权利要求1~7中任一项所述的半导体存储装置,其中,

在所述电路芯片与所述存储芯片之间或两个所述存储芯片之间具有配线层;

所述配线层具有绝缘层和形成在所述绝缘层内的配线;

在所述配线层的第1面中露出所述配线的第1点和在所述配线层的第2面中露出所述配线的第2点的位置不同。

9.如权利要求1~7中任一项所述的半导体存储装置,其中,

所述电路芯片具备电路层和存储层,所述电路层包括所述数据锁存器,所述存储层具有包括多个存储单元的存储单元阵列;

所述电路层和所述存储层层叠。

10.如权利要求1~7中任一项所述的半导体存储装置,其中,

所述电路芯片还具备包括所述数据锁存器的电路区域和对所述电路区域进行控制的控制器。

11.如权利要求10所述的半导体存储装置,其中,

所述电路芯片还具备对所述控制器的动作结果进行运算的运算电路。

12.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

所述半导体存储装置具有在所述电路芯片与各个所述存储芯片之间进行数据的交换的信号线和所述电路芯片及各个存储芯片的电源线;

所述信号线及所述电源线具有贯通配线和微凸块,所述贯通配线将所述电路芯片和所述存储芯片中的至少一个在层叠方向上贯通,所述微凸块与所述贯通配线电连接并处于所述电路芯片和所述存储芯片中的至少一个的表面。

13.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,

所述半导体存储装置具有在所述电路芯片与各个所述存储芯片之间进行数据的交换的信号线和所述电路芯片及各个存储芯片的电源线;

所述信号线及所述电源线是处于所述电路芯片和所述存储芯片中的至少一个的表面的微凸块。

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