[发明专利]硅太阳能电池制备方法、硅晶片以及硅太阳能电池片

权利要求书

1.一种硅太阳能电池制备方法，包括：

准备硅晶片；以及

在所述硅晶片上进行太阳能电池片制作工艺以形成太阳能电池片，

其中，所述太阳能电池片制作工艺包括在所述硅晶片上进行成膜步骤，所述硅太阳能电池制备方法还包括在所述成膜步骤之前，在所述硅晶片上形成裂片用凹槽，且所述成膜步骤包括在所述硅晶片的形成有所述裂片用凹槽的一侧形成薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅晶片为n型或者p型单晶硅晶片。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述裂片用凹槽形成在所述硅晶片的彼此相对的两个主表面的至少之一中。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其中，所述裂片用凹槽的深度为所述硅晶片的厚度的3％-60％。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其中，所述裂片用凹槽沿平行于所述硅晶片的主表面的直线延伸，所述裂片用凹槽沿所述直线横向贯穿所述硅晶片或包括沿所述直线间隔排列的多个子凹槽。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述多个子凹槽的长度之和大于所述直线与所述硅晶片所重叠的直线段的长度的50％。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其中，在所述硅晶片上形成裂片用凹槽包括形成彼此平行的多条裂片用凹槽。

8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其中，所述裂片用凹槽的宽度小于100微米。

9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其中，所述成膜步骤包括使用对所述硅晶片具有钝化功能的成膜工艺形成所述薄膜。

10.根据权利要求1-9任一项所述的方法，其中，所述薄膜包括钝化膜。

11.根据权利要求1-10任一项所述的方法，其中，所述薄膜包括制备氮化硅、氧化硅、氧化铝、非晶硅和多晶硅中的至少一种。

12.根据权利要求1-11任一项所述的方法，其中，所述薄膜通过等离子体增强化学气相沉积、热氧化法和原子层沉积中的一种或几种形成。

13.根据权利要求1-12任一项所述的方法，其中，所述薄膜的至少一部分形成在所述裂片用凹槽内。

14.根据权利要求1-13任一项所述的方法，还包括：在所述太阳能电池片制作工艺之后，进行裂片步骤以使所述太阳能电池片在所述裂片用凹槽处断开。

15.根据权利要求1-14任一项所述的方法，其中，所述太阳能电池片制作工艺包括在所述成膜步骤之前进行的制绒步骤和pn结形成步骤，以及在所述成膜步骤之后进行的电极形成步骤。

16.根据权利要求1-14任一项所述的方法，其中，所述成膜步骤包括在带有所述裂片用凹槽的硅晶片上形成多晶硅薄膜，以使得所述多晶硅薄膜与所述硅晶片形成pn结。

17.根据权利要求1-16任一项所述的方法，其中，所述裂片用凹槽在所述太阳能电池制作工艺之前形成。

18.根据权利要求14所述的方法，还包括：将通过所述裂片步骤分割所述太阳能电池片得到的多个太阳能电池小片层叠放置，并且使要进行钝化的侧面对齐以形成待钝化面；以及在所述待钝化面上涂覆钝化处理液以对所述侧面进行钝化。

19.一种用于制备太阳能电池片的硅晶片，其中，所述硅晶片的至少一个主表面包括裂片用凹槽。