[发明专利]硅太阳能电池制备方法、硅晶片以及硅太阳能电池片

说明书

本公开的实施例提供一种硅太阳能电池制备方法、硅晶片以及硅太阳能电池片。该一种硅太阳能电池制备方法，包括：准备硅晶片；以及在所述硅晶片上进行太阳能电池片制作工艺以形成太阳能电池片，其中，所述太阳能电池片制作工艺包括在所述硅晶片上进行成膜步骤，所述硅太阳能电池制备方法还包括在所述成膜步骤之前，在所述硅晶片上形成裂片用凹槽，且所述成膜步骤包括在所述硅晶片的形成有所述裂片用凹槽的一侧形成薄膜。该制备方法可以提高将太阳能电池裂片成小片后的光电转换效率。

技术领域

本公开涉及一种硅太阳能电池制备方法、用于制备太阳能电池片的硅晶片以及硅太阳能电池片。

背景技术

硅太阳能电池中，单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成熟的加工处理工艺基础上的。虽然单晶硅太阳能电池的工艺已经非常成熟，但对于硅太阳能电池或其面板组件的更高的光电转换效率是一直以来所追求的目标。

发明内容

根据本公开的实施例提供一种硅太阳能电池制备方法，包括：准备硅晶片；以及在所述硅晶片上进行太阳能电池片制作工艺以形成太阳能电池片，其中，所述太阳能电池片制作工艺包括在所述硅晶片上进行成膜步骤，所述硅太阳能电池制备方法还包括在所述成膜步骤之前，在所述硅晶片上形成裂片用凹槽，且所述成膜步骤包括在所述硅晶片的形成有所述裂片用凹槽的一侧形成薄膜。

在一些示例中，所述硅晶片为n型或者p型单晶硅晶片。

在一些示例中，所述裂片用凹槽形成在所述硅晶片的彼此相对的两个主表面的至少之一中。

在一些示例中，所述裂片用凹槽的深度为所述硅晶片的厚度的3％-60％。

在一些示例中，所述裂片用凹槽沿平行于所述硅晶片的主表面的直线延伸，所述裂片用凹槽沿所述直线横向贯穿所述硅晶片或包括沿所述直线间隔排列的多个子凹槽。

在一些示例中，所述多个子凹槽的长度之和大于所述直线与所述硅晶片所重叠的直线段的长度的50％。

在一些示例中，在所述硅晶片上形成裂片用凹槽包括形成彼此平行的多条裂片用凹槽。

在一些示例中，所述裂片用凹槽的宽度小于100微米。

在一些示例中，所述成膜步骤包括使用对所述硅晶片具有钝化功能的成膜工艺形成所述薄膜。

在一些示例中，所述薄膜包括钝化膜。

在一些示例中，所述薄膜包括制备氮化硅、氧化硅、氧化铝、非晶硅和多晶硅中的至少一种。

在一些示例中，所述薄膜通过等离子体增强化学气相沉积、热氧化法和原子层沉积中的一种或几种形成。

在一些示例中，所述薄膜的至少一部分形成在所述裂片用凹槽内。

在一些示例中，上述方法还包括：在所述太阳能电池片制作工艺之后，进行裂片步骤以使所述太阳能电池片在所述裂片用凹槽处断开。

在一些示例中，所述太阳能电池片制作工艺包括在所述成膜步骤之前进行的制绒步骤和pn结形成步骤，以及在所述成膜步骤之后进行的电极形成步骤。

在一些示例中，所述成膜步骤包括在带有所述裂片用凹槽的硅晶片上形成多晶硅薄膜，以使得所述多晶硅薄膜与所述硅晶片形成pn结。

在一些示例中，所述裂片用凹槽在所述太阳能电池制作工艺之前形成。

在一些示例中，所述方法还包括将通过所述裂片步骤分割所述太阳能电池片得到的多个太阳能电池小片层叠放置，并且使要进行钝化的侧面对齐以形成待钝化面；以及在所述待钝化面上涂覆钝化处理液以对所述侧面进行钝化。