[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202010805347.9 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN112397536A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 白寅圭;权杜原 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
第一基板,包括像素阵列区域,所述像素阵列区域包括多个像素区域和在所述像素阵列区域周围的外围区域;
多个光电转换单元,分别位于第一基板的多个像素区域中;
第一连接层,设置在第一基板的像素阵列区域和外围区域上;
多个第一像素焊盘,设置在第一基板的像素阵列区域上的第一连接层的部分上;
多个第一外围焊盘,设置在第一基板的外围区域上的第一连接层的部分上;
多个第二像素焊盘,分别位于多个第一像素焊盘上;
多个第二外围焊盘,分别位于多个第一外围焊盘上;
第二连接层,设置在多个第二像素焊盘和多个第二外围焊盘上;
器件,设置在第二连接层上;以及
第二基板,设置在第二连接层和器件上,
其中,多个第一像素焊盘在第一水平方向上的间距与第一基板的多个像素区域在第一水平方向上的间距基本上相同,以及
其中,多个第一像素焊盘中的每个的中心与第一基板的多个像素区域中的每个的中心在第二水平方向上隔开预定距离。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,
设置在第一基板的多个像素区域中的每个上的第一连接层的部分包括在平面图中与多个第一像素焊盘中的每个重叠的重叠部分和在平面图中与多个第一像素焊盘中的每个不重叠的非重叠部分,以及
其中,第一连接层的重叠部分的透射率高于第一连接层的非重叠部分的透射率。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,多个第一外围焊盘在第一方向上的间距与第一基板的多个像素区域在第一水平方向上的间距基本上相同。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,多个第一像素焊盘和多个第二像素焊盘中的每个在第一水平方向上的宽度大于0并且小于或等于第一基板的多个像素区域在第一水平方向的间距的一半。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:像素分离图案,设置在多个光电转换单元之间,其中,多个第一像素焊盘中的每个的中心在平面图中与像素分离图案不重叠。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,多个第一像素焊盘在平面图中与像素分离图案不重叠。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,多个第一像素焊盘中的每个包括填充层和设置在填充层与第一连接层之间的阻挡层。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中,填充层包括铜(Cu)、铝(Al)或其组合,并且阻挡层包括钛(Ti)、钽(Ta)、锡(Sn)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)或其组合。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,第一连接层不将分别包括多个第一光电转换单元的多个像素电路电连接到多个第一像素焊盘。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,第一连接层将分别包括多个第一光电转换单元的多个像素电路分别电连接到多个第一像素焊盘。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,还包括:多个像素器件,设置在第二基板上,其中,第二连接层将多个像素器件分别电连接到多个第二像素焊盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的