[发明专利]一种围栅器件的设计方法和装置在审
申请号: | 202010807267.7 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN114077815A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 孙立杰;蒋晓波;黄威森;余华涛 | 申请(专利权)人: | 深圳市海思半导体有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 518129 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 器件 设计 方法 装置 | ||
1.一种围栅器件的设计方法,其特征在于,所述方法包括:
根据中道MEOL电容模型和围栅GAA版图库经过编译生成MEOL动态链接库,其中,所述GAA版图库是围栅GAA结构的集成电路器件版图库,包括多个GAA版图,所述MEOL电容模型是基于所述GAA器件工艺设计参数的MEOL模型;
通过调用所述MEOL动态链接库和后道BEOL电容模型得到GAA的电阻电容RC工艺数据库;
根据当前版图设计对所述GAA RC工艺数据库进行2.5D版图扫描,得到与所述当前版图设计匹配的RC寄生参数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述MEOL电容模型是根据神经网络训练得到的。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,根据所述MEOL电容模型和所述GAA版图库经过编译生成MEOL动态链接库之前,所述方法还包括:
根据大量的GAA版图工艺尺寸,以及所述GAA版图对应的MEOL电容的测试数据或者所述GAA版图进行三维蒙特卡洛仿真得到的MEOL电容仿真数据,经过神经网络训练,得到所述MEOL电容模型。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述BEOL电容模型包括基于所述GAA版图中互连线版图工艺尺寸的BEOL寄生电容查找表。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,根据所述MEOL电容模型和所述GAA版图库经过编译生成MEOL动态链接库之前,所述方法还包括:
根据实际GAA器件中互连线版图的工艺设计参数,通过三维电场解算器对BEOL电容模型文件进行仿真,得到多个GAA版图对应的BEOL寄生电容查找表。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法,其特征在于,根据所述MEOL电容模型和所述GAA版图库经过编译生成MEOL动态链接库之前,所述方法还包括:
根据版图设计工艺规则和实际需求设计多个GAA版图图样,所述GAA版图库包括所述多个GAA版图图样。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法,其特征在于,所述GAA版图库中包括以下中的至少一项GAA版图:
栅极过孔分布在源极或漏极位置区域的GAA版图、栅极两端分别布局过孔引出的GAA版图、增加金属线绕线数目的GAA版图、减少金属线绕线数目的GAA版图、大栅间距的GAA版图、栅端伸长版的GAA版图。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法,其特征在于,所述MEOL电容包括以下中的至少一项:
栅极到纳米线或纳米片的前后顶边边缘电容、所述栅极到所述纳米线或所述纳米片的上下顶边边缘电容、所述栅极到源极或者漏极的纵向耦合电容、所述栅极到所述源极或所述漏极过孔的纵向耦合电容、所述栅极到衬底的电容、所述栅极到金属线1的电容、金属线2同层间的耦合电容、所述金属线1与所述金属线2之间的电容、所述金属线1到所述金属线2的电容。
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法,其特征在于,所述GAA器件工艺设计参数包括以下中的至少一项:
纳米片或纳米线的高度、宽度、厚度,栅极的高度、宽度、厚度,金属互连线的宽度、长度、厚度,介质层的厚度、介电常数。
10.一种围栅器件的设计装置,其特征在于,所述装置包括:
编译模块,用于根据中道MEOL电容模型和围栅GAA版图库经过编译生成MEOL动态链接库,其中,所述GAA版图库是围栅GAA结构的集成电路器件版图库,包括多个GAA版图,所述MEOL电容模型是基于所述GAA器件工艺设计参数的MEOL模型;
RC抽取模块,用于通过调用所述MEOL动态链接库和后道BEOL电容模型得到GAA的电阻电容RC工艺数据库;
版图扫描模块,用于根据当前版图设计对所述GAA RC工艺数据库进行2.5D版图扫描,得到与所述当前版图设计匹配的RC寄生参数。
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