[发明专利]金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板在审
| 申请号： | 202010807272.8 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111816668A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄溪;臧建明 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 阵列 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；
在所述栅金属层上沉积缓冲层，并在所述缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在所述栅极上方形成半导体图形；
在所述半导体图形上形成源极和漏极；
在所述缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，所述氧化铝层覆盖所述半导体图形；
在所述氧化铝层上沉积保护层，并通过光刻工艺在所述保护层上形成接触过孔，以使所述漏极露出；
在所述阵列基板的显示区域的对应位置沉积透明导电层。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为
3.根据权利要求2所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为
4.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化铝层覆盖所述源极、所述漏极以及所述半导体图形。
5.根据权利要求1-4任一项所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述栅金属层上沉积缓冲层，具体包括：
在所述栅金属层上沉积由氮化硅构成的第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上沉积由氧化硅构成的第二缓冲层。
6.根据权利要求1-4任一项所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述氧化铝层上沉积保护层，具体包括：
在所述氧化铝层上沉积有机绝缘层；
在所述有机绝缘层上沉积无机绝缘层。
7.根据权利要求6所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有机绝缘层为有机感光树脂层，所述无机绝缘层为氮化硅层。
8.根据权利要求1-4任一项所述的金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，所述透明导电层通过所述接触过孔与所述漏极电连接。
9.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的制造方法制造而成。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
