[发明专利]金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

说明书

本发明提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。本发明提供的金属氧化物阵列基板的制造方法包括在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；在栅金属层上沉积缓冲层，并在缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在栅极上方形成半导体图形；在半导体图形上形成源极和漏极；在缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，氧化铝层至少覆盖半导体图形；在氧化铝层上沉积保护层，从而避免了金属电极被氧化，同时阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能，提高了显示面板的显示质量。

技术领域

本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)，而平面显示器通常由上层基板和下层基板对合并形成，下层基板为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板。

现有技术中，为了减少光刻次数，降低功耗，TFT阵列基板的金属氧化物TFT一般采用背沟道刻蚀结构，具体的，制备金属氧化物TFT时，先在金属氧化物半导体图形上沉积金属层，并刻蚀形成金属电极和沟道，其中金属电极包括金属源极和金属漏极，然后在其上继续沉积形成保护层，保护层可以起到绝缘和保护的作用。

然而，在沉积保护层时，金属电极容易被氧化，同时会有水或氢渗透进入沟道，影响了TFT的性能。

发明内容

本发明提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，避免了金属电极被氧化，同时阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能。

第一方面，本发明提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；在栅金属层上沉积缓冲层，并在缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在栅极上方形成半导体图形；在半导体图形上形成源极和漏极；在缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，氧化铝层至少覆盖半导体图形；在氧化铝层上沉积保护层，并通过光刻工艺在保护层上形成接触过孔，以使漏极露出，在阵列基板的显示区域的对应位置沉积透明导电层。

第二方面，本发明提供了一种阵列基板，采用上述金属氧化物阵列基板的制造方法制造而成。

第三方面，本发明提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板

本发明提供的金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；在栅金属层上沉积缓冲层，并在缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在栅极上方形成半导体图形；在半导体图形上形成源极和漏极；在缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，氧化铝层至少覆盖半导体图形；在氧化铝层上沉积保护层，利用氧化铝层对金属电极和半导体图形起到隔离和保护作用，在保护层的沉积过程中，避免了金属电极被氧化，同时阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能，提高了显示面板的显示质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法的流程图；

图2为本发明实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第一状态的结构示意图；

图3为本发明实施例一提供的金属氧化物阵列基板的制造方法中在栅金属层上沉积缓冲层的流程图；