[发明专利]高速互连的接地参考形状有效

专利信息
申请号: 202010807452.6 申请日: 2020-08-12
公开(公告)号: CN111900144B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 康宽弘;范科伟;周官水 申请(专利权)人: 深圳安捷丽新技术有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/768;H01L21/50
代理公司: 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 代理人: 张小晶
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高速 互连 接地 参考 形状
【权利要求书】:

1.一种半导体组件,其特征在于,包括:

基板;

附接在所述基板上的半导体管芯;

连接所述半导体管芯上的键合焊盘和所述基板上的键合手指的信号键合线;和

所述基板上的接地形状以将所述信号键合线与所述基板屏蔽开,所述接地形状具有梯形形状,其具有与接地参考平面覆盖所述半导体管芯在所述基板上的覆盖区连接的第一基底和与键合手指侧连接的第二基底,所述梯形形状的两个侧面之间的距离在任何点处都大于沿着所述信号键合线在同一点处的两条信号键合线之间的距离。

2.根据权利要求1所述的组件,其特征在于,所述信号键合线是第一信号键合线差分对中的一条,并且所述接地形状为第一接地形状,所述第一接地形状被成形为至少与所述第一信号键合线差分对中的两条线之间的距离一样宽。

3.根据权利要求2所述的组件,其特征在于,还包括第一对接地线,所述第一对接地线沿着所述第一信号键合线差分对的两个相应侧面设置。

4.根据权利要求3所述的组件,其特征在于,进一步包括第二信号键合线差分对和第二接地形状,其中所述第二接地形状被成形为至少与所述第二信号键合线差分对中的两条线之间的距离一样宽。

5.根据权利要求4所述的组件,其特征在于,还包括第二对接地线,所述第二对接地线沿着所述第二信号键合线差分对的两个相应侧面设置,其中,所述第二接地形状也具有梯形形状,并且所述第二接地形状的第二基底与所述第一接地形状的所述第二基底短接。

6.根据权利要求1所述的组件,其特征在于,所述基板是封装基板。

7.根据权利要求1所述的组件,其特征在于,所述基板包括在所述半导体管芯下方的接地参考平面,所述接地参考平面覆盖所述半导体管芯在所述基板上的覆盖区,所述接地形状是所述接地参考平面的从所述管芯处的所述接地参考平面的边缘朝向所述基板上的所述键合手指突出的延伸。

8.一种半导体组件,其特征在于,包括:

基板;

附接在所述基板上的半导体管芯;

一对信号键合线,每条连接所述半导体管芯上的相应的键合焊盘和所述基板上的相应的键合手指;和

所述基板上的接地形状以将所述一对信号键合线与所述基板屏蔽开,所述接地形状具有梯形形状,其具有与接地参考平面覆盖所述半导体管芯在所述基板上的覆盖区连接的第一基底和与键合手指侧连接的第二基底,所述梯形形状的两个侧面之间的距离在任何点处都大于沿着所述信号键合线在同一点处的两条信号键合线之间的距离。

9.根据权利要求8所述的组件,其特征在于,所述一对信号键合线是信号线差分对,所述组件还包括:一对接地线,其沿所述信号键合线差分对的两个相应侧面设置,并且其中,所述接地形状为第一接地形状。

10.根据权利要求9所述的组件,其特征在于,进一步包括第二信号键合线差分对和第二接地形状,其中所述第二接地形状被成形为至少与所述第二信号键合线差分对中的两条线之间的距离一样宽。

11.根据权利要求10所述的组件,其特征在于,还包括第二对接地线,所述第二对接地线沿着所述第二信号键合线差分对的两个相应侧面设置,其中,所述第二接地形状也具有梯形形状,并且所述第二接地形状的第二基底与所述第一接地形状的所述第二基底短接。

12.根据权利要求11所述的组件,其特征在于,所述基板包括在所述半导体管芯下方的接地参考平面,所述接地参考平面覆盖所述半导体管芯在所述基板上的覆盖区,所述第一接地形状和所述第二接地形状是所述接地参考平面的从所述管芯处的所述接地参考平面的边缘朝向所述基板上的所述键合手指突出的两个延伸。

13.根据权利要求8所述的组件,其特征在于,所述基板是封装基板。

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