[发明专利]共阳极多区发射模组及深度相机

权利要求书

1.一种共阳极多区发射模组，包括基板，其特征在于，还包括：

导电层，设于所述基板的上表面；

多个光源，各所述光源与所述导电层错位相对，并相互间隔地设于所述基板的上表面，且各所述光源的正极分别通过导线与所述导电层连接；

正极焊盘，设于所述基板的下表面且与所述导电层相对设置，所述正极焊盘与所述导电层电连通；以及

多个负极焊盘，分别设于所述基板的下表面，各所述负极焊盘分别与所述多个光源一一对应相对设置且电连通。

2.如权利要求1所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，还包括支撑架和光束均化器，所述支撑架顶端、底端均为开口，所述支撑架的底端设于所述基板的上表面，将各所述光源包围在内，并在各所述光源的上方形成一容纳空间，所述光束均化器盖合于所述支撑架顶端的开口。

3.如权利要求2所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述光束均化器包括多个透镜和衍射光学元件，各所述透镜分别一一对应设置于各所述光源正上方，所述衍射光学元件盖合于所述支撑架顶端的开口。

4.如权利要求3所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述透镜的光轴与其对应的所述光源的光轴位于同一直线上。

5.如权利要求4所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述透镜与其所对应的所述光源之间的距离等于所述透镜的等效焦距。

6.如权利要求2所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述光束均化器包括光漫射材料，使所述多个光源发射的光束穿过所述光漫射材料时发生漫射。

7.如权利要求1～6任意一项所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，还包括光电二极管和检测焊盘，所述光电二极管设于所述基板的上表面，所述检测焊盘设于所述基板的下表面，所述光电二极管与所述检测焊盘电连通。

8.如权利要求1～6任意一项所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，还包括多个粘合层，各所述粘合层分别用于将各所述光源粘合于所述基板。

9.如权利要求1～6任意一项所述的共阳极多区发射模组，其特征在于，所述光源为发光二极管或半导体激光器。

10.一种深度相机，其特征在于，包括：

控制器；和

如权利要求1～9任意一项所述的共阳极多区发射模组，所述控制器与所述共阳极多区发射模组的各所述负极焊盘连接。