[发明专利]共阳极多区发射模组及深度相机

说明书

一种共阳极多区发射模组及深度相机，其中，通过采用基板、导线、一正极焊盘以及多个负极焊盘，将多个光源封装成共阳极多区发射模组，从而实现通过一个外部I/O口控制多个光源的驱动以减少了对外部控制器的I/O的占用，并且一个光源的调制端(负极)对应一个负极焊盘，即控制器可实现对各光源的波形的独立调制，解决了传统的双区发射模组中存在占用控制器的I/O口多和无法灵活控制单个区域的调制波形的问题。

技术领域

本申请属于深度成像技术领域，尤其涉及一种共阳极多区发射模组及深度相机。

背景技术

目前，传统的单发光芯片双区发射模组一般是通过共阴极设计方式实现的，其是基于单发光芯片单区发射模组的设计方式的基础上，将所有发光芯片中的发光孔正电极按一定比例连接到两个或多个焊盘上，通过三极管输入输出(Input/Output，I/O)口电路控制每一路光源的开关，实现指定区域的点亮。但现有的共阴极单芯片双区发射模组的调制端(负极)有且仅有一个引脚可以连接，在正常工作状态下，调制端持续输出调制信号，控制器通过三极管I/O口电路，控制两个或两个以上的供电正极的通电情况。这会增加电路设计的复杂程度，占用了额外的I/O口资源；而且双区共用一个调制信号，不仅无法灵活控制单个区域的调制波形，而且基于具有多路控制引脚的驱动IC设计时，会造成资源浪费。

因此，传统的双区发射模组中存在占用控制器的I/O口多和无法灵活控制单个区域的调制波形的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种共阳极多区发射模组及深度相机，旨在解决传统的双区发射模组存在的占用控制器的I/O口多和无法灵活控制单个区域的调制波形的问题。

本申请实施例的第一方面提了一种共阳极多区发射模组，包括基板，还包括：

导电层，设于所述基板的上表面；

多个光源，各所述光源与所述导电层错位相对，并相互间隔地设于所述基板的上表面，且各所述光源的正极分别通过导线与所述导电层连接；

正极焊盘，设于所述基板的下表面且与所述导电层相对设置，所述正极焊盘与所述导电层电相通；以及

多个负极焊盘，分别设于所述基板的下表面，各所述负极焊盘分别与所述多个光源一一对应电连通且相对设置。

在一个实施例中，所述共阳极多区发射模组还包括还包括支撑架和光束均化器，所述支撑架顶端、底端均为开口，所述支撑架的底端设于所述基板的上表面，将各所述光源包围在内，并在各所述光源的上方形成一容纳空间，所述光束均化器盖合于所述支撑架顶端的开口。

在一个实施例中，所述光束均化器包括多个透镜和衍射光学元件，各所述透镜分别一一对应设置于各所述光源正上方，所述衍射光学元件盖合于所述支撑架顶端的开口。

在一个实施例中，所述透镜的光轴与其对应的所述光源的光轴位于同一直线上。

在一个实施例中，所述透镜与其所对应的所述光源之间的距离等于所述透镜的等效焦距。

在一个实施例中，所述光束均化器包括光漫射材料，使所述多个光源发射的光束穿过所述光漫射材料时发射漫射。

在一个实施例中，所述共阳极多区发射模组还包括光电二极管和检测焊盘，所述光电二极管设于所述基板的上表面，所述检测焊盘设于所述基板的下表面，所述光电二极管与所述检测焊盘电连通。

在一个实施例中，所述共阳极多区发射模组还包括多个粘合层，各所述粘合层分别用于将各所述光源粘合于所述基板。

在一个实施例中，所述光源为发光二极管或半导体激光器。

本申请实施例的第二方面提了一种深度相机，包括：

控制器；和