[发明专利]灵敏放大器及存储器在审

专利信息
申请号: 202010809953.8 申请日: 2020-08-12
公开(公告)号: CN114078517A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 赵凯;李建忠;崔冰;王海华;沈鸣杰;俞剑;徐烈伟;于芳;俞军 申请(专利权)人: 上海复旦微电子集团股份有限公司
主分类号: G11C11/419 分类号: G11C11/419;G11C7/24
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张凤伟;吴敏
地址: 200433 上海市杨浦区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 灵敏 放大器 存储器
【权利要求书】:

1.一种灵敏放大器,其特征在于,包括:第一锁存电路及第二锁存电路,所述第一锁存电路具有电位互补的第一输入节点及第二输入节点;所述第二锁存电路具有电位互补的第一抗翻转节点及第二抗翻转节点;其中:

所述第一锁存电路,适于增大所述第一输入节点及第二输入节点之间的电位差,使得所述第一输入节点及第二输入节点的电位互补;

所述第二锁存电路,与所述第一锁存电路耦接,适于在所述第一输入节点及第二输入节点的电位互补后,当所述第一输入节点或第二输入节点出现单粒子瞬态时,通过调整所述第一抗翻转节点及第二抗翻转节点的电位,来保持另一输入节点的电位不变,并通过所述另一输入节点为出现单粒子瞬态的输入节点充电,直至恢复所述出现单粒子瞬态的输入节点的电位。

2.如权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一锁存电路由两对晶体管构成,每对晶体管包括一个PMOS管及一个NMOS管。

3.如权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一锁存电路包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管;其中:

所述第一PMOS管,栅极与所述第一输入节点耦接,漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接,源极与第二PMOS管的源极耦接;

所述第一NMOS管,栅极与所述第二锁存电路耦接,源极与所述第二NMOS管的源极耦接;

所述第二PMOS管,栅极与所述第二抗翻转节点耦接,漏极与所述第二NMOS管的漏极耦接;

所述第二NMOS管,栅极与所述第二输入节点耦接。

4.如权利要求2所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第二锁存电路由两对晶体管构成,对晶体管包括一个PMOS管及一个NMOS管。

5.如权利要求4所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第二锁存电路包括:第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管;其中:

所述第三PMOS管,栅极与所述第一抗翻转节点耦接,漏极与所述第三NMOS管的漏极耦接,源极与所述第四PMOS管的源极耦接;

所述第三NMOS管,栅极与所述第一锁存电路耦接,源极与所述第四NMOS管的源极耦接;

所述第四PMOS管,栅极与所述第一锁存电路耦接,漏极与所述第四NMOS管的漏极耦接;

所述第四NMOS管,栅极与所述第三NMOS管的漏极耦接。

6.如权利要求4所述的灵敏放大器,其特征在于,还包括:控制电路,与所述第一锁存电路及第二锁存电路耦接,适于接收使能信号,并在所述使能信号的控制下,使得所述第一锁存电路及第二锁存电路开始工作。

7.如权利要求6所述的灵敏放大器,其特征在于,所述控制电路包括:第五NMOS管,所述第五NMOS管的栅极适于输入所述使能信号,漏极与所述第一锁存电路及第二锁存电路耦接,源极接地。

8.如权利要求7所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第五NMOS管的数量为四个,各所述第五NMOS管的漏极分别与所述第一锁存电路及第二锁存电路中不同的NMOS管耦接。

9.如权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,还包括:预充电路,与所述第一锁存电路及第二锁存电路耦接,适于将所述第一输入节点、第二输入节点、第一抗翻转节点及第二抗翻转节点的电位预充至预设电位。

10.如权利要求9所述的灵敏放大器,其特征在于,所述预充电路包括:第一预充子电路及第二预充子电路;

所述第一预充子电路,与所述第一锁存电路耦接,适于对所述第一输入节点及第二输入节点的电位进行预充;

所述第二预充子电路,与所述第二锁存电路耦接,适于对所述第一抗翻转节点及第二抗翻转节点的电位进行预充。

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