[发明专利]灵敏放大器及存储器

说明书

一种灵敏放大器及存储器。所述灵敏放大器包括：第一锁存电路及第二锁存电路，所述第一锁存电路具有电位互补的第一输入节点及第二输入节点；所述第二锁存电路具有电位互补的第一抗翻转节点及第二抗翻转节点；其中：所述第二锁存电路，与所述第一锁存电路耦接，适于在所述第一输入节点及第二输入节点的电位互补后，当所述第一输入节点或第二输入节点出现单粒子瞬态时，通过调整所述第一抗翻转节点及第二抗翻转节点的电位，来保持另一输入节点的电位不变，并通过所述另一输入节点为出现单粒子瞬态的输入节点充电，直至恢复所述出现单粒子瞬态的输入节点的电位。应用上述方案，可以使得所述灵敏放大器能够抵抗单粒子翻转。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种灵敏放大器及存储器。

背景技术

灵敏放大器(Sense Amplifier，SA)是数模混合电路的关键基础组件之一，有多种类型，广泛应用于存储器中。

以静态随机存储器(Static Random Access Memory，SRAM)为例，SRAM中一般采用高速、低功耗的锁存型灵敏放大器。对SRAM执行读操作时，位线先预充，然后通过被选中存储单元进行放电，由于位线负载比较大，两个位线的电平差很小，就需要通过灵敏放大器电路快速进行放大，以保证SRAM的读取速度。

随着器件工艺尺寸越来越小，大气层中的一些粒子也能够引起器件的单粒子翻转(Single Event Upset，SEU)，一般称为软错误(Soft Error)。单粒子翻转(Single EventUpset，SEU)，指的是空间环境中单个高能粒子入射到半导体器件灵敏区后，激发电子空穴对，进而引起器件逻辑状态翻转的现象。单粒子翻转，可能会使得SRAM发生故障。

然而，现有的灵敏放大器，无法抵抗单粒子翻转。

发明内容

本发明解决的技术问题是：提供一种能够抵抗单粒子翻转的灵敏放大器。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种灵敏放大器，所述灵敏放大器包括：第一锁存电路及第二锁存电路，所述第一锁存电路具有电位互补的第一输入节点及第二输入节点；所述第二锁存电路具有电位互补的第一抗翻转节点及第二抗翻转节点；其中：

所述第一锁存电路，适于增大所述第一输入节点及第二输入节点之间的电位差，使得所述第一输入节点及第二输入节点的电位互补；

所述第二锁存电路，与所述第一锁存电路耦接，适于在所述第一输入节点及第二输入节点的电位互补后，当所述第一输入节点或第二输入节点出现单粒子瞬态时，通过调整所述第一抗翻转节点及第二抗翻转节点的电位，来保持另一输入节点的电位不变，并通过所述另一输入节点为出现单粒子瞬态的输入节点充电，直至恢复所述出现单粒子瞬态的输入节点的电位。

可选地，所述第一锁存电路由两对晶体管构成，每对晶体管包括一个PMOS管及一个NMOS管。

可选地，所述第一锁存电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管；其中：

所述第一PMOS管，栅极与所述第一输入节点耦接，漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接，源极与第二PMOS管的源极耦接；

所述第一NMOS管，栅极与所述第二锁存电路耦接，源极与所述第二NMOS管的源极耦接；

所述第二PMOS管，栅极与所述第二抗翻转节点耦接，漏极与所述第二NMOS管的漏极耦接；

所述第二NMOS管，栅极与所述第二输入节点耦接。

可选地，所述第二锁存电路由两对晶体管构成，对晶体管包括一个PMOS管及一个NMOS管。

可选地，所述第二锁存电路包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管；其中：