[发明专利]堆叠式结构及其制造方法

权利要求书

1.一种堆叠式结构，其包括：

下部结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层相接触的至少一个下部金属层；

上部结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层相接触的至少一个上部金属层；以及

缓冲层，其插置于所述下部结构与所述上部结构之间，其中所述缓冲层的热膨胀系数介于所述下部结构的热膨胀系数与所述上部结构的热膨胀系数之间。

2.根据权利要求1所述的堆叠式结构，其中所述下部结构是布线结构并且包含多个下部介电层和插置于所述下部介电层之间的多个下部金属层，所述下部金属层中的每个下部金属层包含图案化电路层，所述下部金属层通过多个下部导通孔彼此电连接；其中所述上部结构是天线结构，并且所述至少一个上部金属层包含天线图案。

3.根据权利要求2所述的堆叠式结构，其进一步包括：

至少一个半导体裸片，其电连接到所述下部结构；以及

封装体，其覆盖所述至少一个半导体裸片。

4.根据权利要求1所述的堆叠式结构，其中所述下部结构是天线结构，并且所述至少一个下部金属层包含天线图案；其中所述上部结构是布线结构并且包含多个上部介电层和插置于所述上部介电层之间的多个上部金属层，所述上部金属层中的每个上部金属层包含图案化电路层，所述上部金属层通过多个上部导通孔彼此电连接。

5.根据权利要求4所述的堆叠式结构，其进一步包括：

至少一个半导体裸片，其电连接到所述上部结构；以及

封装体，其覆盖所述至少一个半导体裸片。

6.根据权利要求1所述的堆叠式结构，其中所述至少一个下部介电层的介电常数Dk大于所述至少一个上部介电层的介电常数Dk。

7.根据权利要求1所述的堆叠式结构，其中所述至少一个下部介电层的介电常数Dk小于所述至少一个上部介电层的介电常数Dk。

8.根据权利要求1所述的堆叠式结构，其中所述缓冲层的材料包含味之素增层膜。

9.根据权利要求1所述的堆叠式结构，其中所述缓冲层中没有导电路径，其中所述下部结构的下部金属层电耦接到所述上部结构。

10.一种堆叠式结构，其包括：

布线结构，其包含至少一个介电层和与所述介电层相接触的至少一个金属层；

天线结构，其包含至少一个介电层和与所述介电层相接触的至少一个金属层；以及

缓冲层，其具有第一表面和第二表面，所述第一表面与所述布线结构相接触，所述第二表面与所述第一表面相对并且与所述天线结构相接触，其中所述第一表面的表面粗糙度大于所述第二表面的表面粗糙度。

11.根据权利要求10所述的堆叠式结构，其中所述布线结构包含多个介电层和插置于所述介电层之间的多个金属层，所述金属层中的每个金属层包含图案化电路层，所述金属层通过多个下部导通孔彼此电连接，并且所述天线结构的所述至少一个金属层包含天线图案。

12.根据权利要求10所述的堆叠式结构，其进一步包括：

至少一个半导体裸片，其电连接到所述布线结构；以及

封装体，其覆盖所述至少一个半导体裸片。

13.根据权利要求10所述的堆叠式结构，其中所述布线结构的所述至少一个介电层的介电常数Dk大于所述天线结构的所述至少一个介电层的介电常数Dk。

14.根据权利要求10所述的堆叠式结构，其中所述缓冲层的材料包含味之素增层膜。

15.根据权利要求10所述的堆叠式结构，其中所述缓冲层中没有导电路径，其中所述布线结构的金属层电耦接到所述天线结构。