[发明专利]预测晶圆失效率的方法及其装置

说明书

本发明提供了一种预测晶圆失效率的方法及其装置。通过对多个目标晶圆的预定项目的测量结果和所述预定项目对应的项目失效率进行拟合运算，以获得目标晶圆的预测失效率，进而能够在晶圆的生产过程中即可以高效准确的预测目标晶圆的晶圆失效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种预测晶圆失效率的方法及其检测装置。

背景技术

晶圆失效率直接反映了半导体器件产品的质量，在半导体制造中需要对晶圆失效率进行监测。

芯片探测(chip probing，CP)测试是对整张晶圆(wafer)上的每个芯片单元(Die)进行检测，耗费时间较长，且CP测试的数据不能直接地反映产线的问题。鉴于此，相关技术中，通常使用晶圆允收测试(wafer Acceptance test， WAT)数据进行人工判定是否CP测试异常，从而间接判断每片晶圆是否失效。

然而，通过较为单一的WAT数据来判断CP测试是否异常的准确率较低；同时，通过人工判断WAT数据是否异常的主观性较强，且效率低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种预测晶圆失效率的方法及其检测装置，以解决现有晶圆失效率预测的效率和准确性较低的问题。

为解决上述问题，本发明公开一种预测晶圆失效率的方法，包括：

获取多个目标晶圆针对预定项目的测量结果，并得到所述预定项目的项目失效率；

对多个所述测量结果和所述项目失效率进行拟合运算，以预测出所述目标晶圆的晶圆失效率；

输出所述目标晶圆的晶圆失效率。

可选的，所述拟合运算的方法包括：

对多个所述测量结果和所述项目失效率使用至少两种的拟合运算公式进行初步拟合运算，并得到每个拟合运算公式对应的R²值，其中，所述R²表示所述初步拟合运算中每个拟合运算公式对应的拟合优度；

对所有R²值进行排序；

选取最大R²值对应的拟合运算公式，以作为最终拟合运算公式；

对多个所述测量结果和所述项目失效率使用所述最终拟合公式进行拟合运算，以得到所述目标晶圆的晶圆失效率。

可选的，所述至少两种拟合运算公式包括：线性方程拟合公式和二次方程拟合公式。

可选的，在进行所述拟合运算之前，所述方法还包括：对多个所述目标晶圆的测量结果所对应的数值进行数据清洗，以将数值中的异常数值进行过滤。

可选的，对所述异常数值进行过滤的方法包括：使用3IQR方法进行过滤。

可选的，在进行所述拟合运算之前，所述方法还包括：对多个所述测量结果进行降维处理，以得到降维测量结果；

以及所述拟合运算包括：对所述降维测量结果进行拟合运算。

可选的，所述降维方法包括：特征提取法。

可选的，在对多个所述测量结果进行降维处理之后，

所述方法还包括：对所述降维测量结果进行展开重构。

可选的，所述预定项目包括：开启电压、饱和电流、关闭电流、击穿电压、接薄层电压、基础电阻、栅氧化层厚度以及隔离层厚度中的至少一种。

可选的，获取多个目标晶圆针对预定项目的测量结果，并得到所述预定项目的项目失效率之前，所述方法还包括：

获取多个目标晶圆针对至少两种预定项目的初始测量结果，以及每种所述预定项目对应的失效率预测值；