[发明专利]滤波器和通信基站

权利要求书

1.一种滤波器，包括表面金属化的介质本体，其特征在于：所述介质本体包括固定在一起的上下两层介质块，该介质本体的上层介质块和下层介质块分别设有相对应的介质谐振腔，相对应的一对介质谐振腔之间设有容性耦合结构和/或感性耦合结构。

2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于：所述上层介质块的介质谐振腔设置在上层介质块的上表面，所述下层介质块的介质谐振腔设置在下层介质块的下表面；所述容性耦合结构包括设置在上层介质块底面的第一凹槽和设置在下层介质块顶面的第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽连通形成容性耦合槽。

3.一种滤波器，包括表面金属化的介质本体、设于介质本体上的输入端口和输出端口，其特征在于：所述介质本体包括固定在一起的上下两层介质块，上层介质块和下层介质块分别设有至少两个介质谐振腔、形成相对应的至少两对介质谐振腔；一对介质谐振腔之间设有容性耦合结构，与该对介质谐振腔相邻的另一对介质谐振腔之间设有感性耦合结构；相邻两对介质谐振腔的位于上层介质块的两个介质谐振腔之间形成感性耦合，位于下层介质块的两个介质谐振腔之间形成感性耦合，上下两层介质块上的相邻两对介质谐振腔之间形成四腔交叉耦合结构。

4.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于：所述上层介质块的介质谐振腔设置在上层介质块的上表面，所述下层介质块的介质谐振腔设置在下层介质块的下表面；所述容性耦合结构包括设置在上层介质块底面的第一凹槽和设置在下层介质块顶面的第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽连通形成容性耦合槽。

5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于：所述上层介质块与下层介质块焊接。

6.根据权利要求3或4所述的滤波器，其特征在于：所述感性耦合结构包括上层介质块底面去除金属层的部分和下层介质块顶面去除金属层的部分，所述上层介质块底面去除金属层的部分和下层介质块顶面去除金属层的部分贴合。

7.根据权利要求5所述的滤波器，其特征在于：所述介质本体侧壁分别设有用于微调一对介质谐振腔之间容性耦合量或感性耦合量的调试凹槽。

8.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于：所述输入端口包括相通的纵向盲孔和横向盲孔，所述输出端口包括相通的纵向盲孔和横向盲孔。

9.根据权利要求3-8任一项所述的滤波器，其特征在于：所述上层介质块和下层介质块分别设有三个介质谐振腔、形成相对应的三对介质谐振腔；第一对介质谐振腔之间设有容性耦合结构，第二对介质谐振腔之间设有感性耦合结构，第三对介质谐振腔之间设有容性耦合结构；上层介质块的第一个介质谐振腔和第二个介质谐振腔之间形成感性耦合，下层介质块的第一个介质谐振腔和第二个介质谐振腔之间形成感性耦合，即所述上层介质块的第一个介质谐振腔、第二个介质谐振腔、下层介质块的第一个介质谐振腔和第二个介质谐振腔之间形成四腔交叉耦合结构；上层介质块的第二个介质谐振腔和第三个介质谐振腔之间形成感性耦合，下层介质块的第二个介质谐振腔和第三个介质谐振腔形成感性耦合，所述上层介质块的第三个介质谐振腔、第二个介质谐振腔、下层介质块的第三个介质谐振腔和第二个介质谐振腔之间形成另一四腔交叉耦合结构。

10.一种通信基站，其特征在于：包括如权利要求1至9任意一项所述的滤波器。