[发明专利]滤波器和通信基站

说明书

本发明涉及一种滤波器和通信基站，包括表面金属化的介质本体、至少两个介质谐振腔、形成相对应的至少两对介质谐振腔；一对介质谐振腔之间设有容性耦合结构，与该对介质谐振腔相邻的另一对介质谐振腔之间设有感性耦合结构；相邻两对介质谐振腔的位于上层介质块的两个介质谐振腔之间形成感性耦合，位于下层介质块的两个介质谐振腔之间形成感性耦合，上下两层介质块上的相邻两对介质谐振腔之间形成四腔交叉耦合结构。本发明结构紧凑，其寄生谐波远离基模，可以更灵活实现各种交叉耦合，带外抑制性能更优。

技术领域

本发明涉及一种通信设备，特别是涉及滤波器耦合技术。

背景技术

随着5G通信系统的建设，其设备对集成度要求越来越高，微波滤波器的小型化，轻量化是未来的应用趋势，介质波导具有高Q值，温漂小等优点，是一种很好的滤波器小型化解决方案。

现有的介质波导滤波器通常是单层结构，其实现容性交叉耦合结构采用频变结构会在通带外引入谐振峰，采用飞杆衍生结构加工会增加产品的零部件和工序，且现有的单层滤波器不易实现不对称传输零点。此外，单层结构还具有结构不紧凑，形式单一等的缺点。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提出一种能简单实现容性和感性耦合，其寄生谐波远离基模，可以更灵活实现各种交叉耦合而且结构紧凑的滤波器和通信基站。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案为：

提供一种滤波器，包括表面金属化的介质本体，所述介质本体包括固定在一起的上下两层介质块，该介质本体的上层介质块和下层介质块分别设有相对应的介质谐振腔，相对应的一对介质谐振腔之间设有容性耦合结构和/或感性耦合结构。

所述上层介质块的介质谐振腔设置在上层介质块的上表面，所述下层介质块的介质谐振腔设置在下层介质块的下表面；所述容性耦合结构包括设置在上层介质块底面的第一凹槽和设置在下层介质块顶面的第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽连通形成容性耦合槽。

提供一种滤波器，包括表面金属化的介质本体、设于介质本体上的输入端口和输出端口，所述介质本体包括固定在一起的上下两层介质块，上层介质块和下层介质块分别设有至少两个介质谐振腔、形成相对应的至少两对介质谐振腔；一对介质谐振腔之间设有容性耦合结构，与该对介质谐振腔相邻的另一对介质谐振腔之间设有感性耦合结构；相邻两对介质谐振腔的位于上层介质块的两个介质谐振腔之间形成感性耦合，位于下层介质块的两个介质谐振腔之间形成感性耦合，上下两层介质块上的相邻两对介质谐振腔之间形成四腔交叉耦合结构。

所述上层介质块的介质谐振腔设置在上层介质块的上表面，所述下层介质块的介质谐振腔设置在下层介质块的下表面；所述容性耦合结构包括设置在上层介质块底面的第一凹槽和设置在下层介质块顶面的第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽连通形成容性耦合槽。

所述上层介质块与下层介质块焊接。

所述感性耦合结构包括上层介质块底面去除金属层的部分和下层介质块顶面去除金属层的部分，所述上层介质块底面去除金属层的部分和下层介质块顶面去除金属层的部分贴合。

所述介质本体侧壁分别设有用于微调一对介质谐振腔之间容性耦合量或感性耦合量的调试凹槽。

所述输入端口包括相通的纵向盲孔和横向盲孔，所述输出端口包括相通的纵向盲孔和横向盲孔。