[发明专利]一种轴向二极管的外观检测方法在审
申请号: | 202010811162.9 | 申请日: | 2020-08-13 |
公开(公告)号: | CN111933543A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 刁卫斌;景昌忠;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人: | 周全 |
地址: | 225008 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 轴向 二极管 外观 检测 方法 | ||
1.一种轴向二极管的外观检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、利用摄像头多角度的拍摄置于取像位置的二极管的照片;
S2、利用视觉或图像软件合成上述照片为360度的全景照片;
S3、根据全景照片的外观尺寸,识别二极管的本体尺寸是否符合要求;
S4、调节上述全景照片的R、G、B值,根据设定的黑白阈值识别瑕疵点的尺寸,并判定瑕疵点是否符合要求。
2.根据权利要求1所述的一种轴向二极管的外观检测方法,其特征在于,所述取像位置设有搭接二极管引脚的取像轨道,取像轨道前设有斜坡式滑轨。
3.根据权利要求1所述的一种轴向二极管的外观检测方法,其特征在于,所述步骤S1中的摄像头至少为3个,处于不同的位置。
4.根据权利要求1所述的一种轴向二极管的外观检测方法,其特征在于,所述摄像头由控制装置根据设于取像位置的感应器,反馈的二极管的感应信号驱动启闭。
5.根据权利要求1所述的一种轴向二极管的外观检测方法,其特征在于,所述步骤S3中的视觉或图像软件包括Vistech、photoshop。
6.根据权利要求1所述的一种轴向二极管的外观检测方法,其特征在于,所述步骤S4中的R、G、B值分别为0~255;黑白阈值为0~255。
7.根据权利要求1所述的一种轴向二极管的外观检测方法,其特征在于,所述步骤S3中的外观尺寸包括管体尺寸和引脚尺寸;
所述管体尺寸和引脚尺寸分别包括长度和宽度,
所述长度包括沿宽度方向的若干个长度值Xn及长度均值X,宽度包括沿长度方向的若干个宽度值Ym及宽度均值Y。
8.根据权利要求1所述的一种轴向二极管的外观检测方法,其特征在于,所述本体尺寸是否符合要求的识别,包括以下步骤:
A1、沿宽度方向将长度n等份,设任一等份中的最长长度为Xn,长度基值为X0;
A2、若△Xn= |Xn-X0|≤P1,|X-X0|≤P2,同时Xn>X0的数量小于a,则长度符合要求,P为长度允许误差值;
A3、沿长度方向将宽度m等份,设任一等份中的最长宽度为Ym,宽度基值为Y0;
A4、若△Ym=|Ym-Y0|≤Q1,|Y-Y0|≤Q2,同时Ym>Y0的数量小于b,则宽度符合要求,Q为宽度允许误差值;
A5、长度和宽度均符合要求,则本体尺寸符合要求。
9.根据权利要求1所述的一种轴向二极管的外观检测方法,其特征在于,所述步骤S4中的瑕疵点的判定,包括以下步骤:
B1、识别各瑕疵点的最长宽度XC,最长长度YC,瑕疵点面积SC=XC*YC,瑕疵点数量为C;
B2、若XC>D1或YC>D2或SC>D3,其中D1为瑕疵宽度限值,D2为瑕疵长度限值,D3为瑕疵面积上限值,则不合格;
B3、若D4<SC≤D3的数量>f,其中f 为中瑕疵数量的允许值,D4为瑕疵面积下限值,则不合格;
B4、若SC≤D4的数量>g,其中g为小瑕疵数量的允许值,则不合格;
B5、若f+g>j,其中j为中小瑕疵总量的允许值,则不合格。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造