[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

衬底；以及

第1存储器层，在与所述衬底的表面交叉的第1方向上设置在所述衬底上方；且

所述第1存储器层具备：

多个第1导电层，排列在所述第1方向上，且在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；

多个第1绝缘层，设置在所述多个第1导电层各者之间；

多个第2导电层，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上与所述多个第1导电层相隔，并且排列在所述第1方向上，且在所述第2方向上延伸；

多个第2绝缘层，设置在所述多个第2导电层各者之间；及

第1半导体层，具备第1部分、第2部分及第3部分，该第1部分在所述第1方向上延伸，且与所述多个第1导电层及所述多个第1绝缘层对向，该第2部分在所述第1方向上延伸，且与所述多个第2导电层及所述多个第2绝缘层对向，该第3部分与所述第1部分及所述第2部分连接，且位于比所述第1部分及所述第2部分更远离所述衬底的位置；

将在所述第2方向及所述第3方向上延伸且包含所述第3部分的至少一部分的剖面设为第1剖面，

在所述第3部分中，将所述第1剖面中的所述第3方向的比第1假想中心线更靠所述第3方向的一侧的区域设为第1区域，将另一侧的区域设为第2区域，

所述第1假想中心线是通过所述第1剖面中的所述第3部分的所述第3方向的宽度最大的部分的宽度的一半的位置，且在所述第2方向上延伸的假想线，

在所述第1剖面中，

如果将所述第3部分的所述第1区域中的所述第2方向的最大宽度设为第1宽度，

将所述第3部分的所述第2区域中的所述第2方向的最大宽度设为第2宽度，

将所述第3部分的所述第1假想中心线上的所述第2方向的宽度设为第3宽度，

则所述第3宽度比所述第1宽度小，且

所述第3宽度比所述第2宽度小。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于具备：第2存储器层，在所述第1方向上设置在所述第1存储器层上，且

所述第2存储器层具备：

多个第3导电层，排列在所述第1方向上，且在所述第2方向上延伸；

多个第3绝缘层，设置在所述多个第3导电层各者之间；

多个第4导电层，在所述第3方向上与所述多个第3导电层相隔，并且排列在所述第1方向上，且在所述第2方向上延伸；

多个第4绝缘层，设置在所述多个第4导电层各者之间；以及

第2半导体层，具备第4部分、第5部分及第6部分，该第4部分在所述第1方向上延伸，且与所述多个第3导电层及所述多个第3绝缘层对向，该第5部分在所述第1方向上延伸，且与所述多个第4导电层及所述多个第4绝缘层对向，该第6部分与所述第4部分及所述第5部分连接；

所述第6部分与所述第3部分相接。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第2半导体层具备第7部分，该第7部分与所述第4部分及所述第5部分连接，且相对于所述第6部分而位于所述第1方向上，

将在所述第2方向及所述第3方向上延伸且包含所述第7部分的至少一部分的剖面设为第2剖面，

在所述第7部分中，将所述第2剖面中的所述第3方向的比第2假想中心线更靠所述第3方向的一侧的区域设为第3区域，将另一侧的区域设为第4区域，

所述第2假想中心线是通过所述第2剖面中的所述第7部分的所述第3方向的宽度最大的部分的宽度的一半的位置，且在所述第2方向上延伸的假想线，

在所述第2剖面中，

如果将所述第7部分的所述第3区域中的所述第2方向的最大宽度设为第4宽度，

将所述第7部分的所述第4区域中的所述第2方向的最大宽度设为第5宽度，

将所述第7部分的所述第2假想中心线上的所述第2方向的宽度设为第6宽度，

则所述第6宽度比所述第4宽度小，且

所述第6宽度比所述第5宽度小。