[发明专利]半导体工艺设备及其集成供气系统有效
申请号: | 202010812173.9 | 申请日: | 2020-08-13 |
公开(公告)号: | CN111945136B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 郑波;魏景峰;杨宗林;苏乾益;宋志辉 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司;北京七星华创流量计有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 及其 集成 供气 系统 | ||
1.一种半导体工艺设备的集成供气系统,设置于半导体工艺设备的气源及工艺腔室之间,用于向所述工艺腔室内输送气体,其特征在于,包括多个单独设置的气路输送模块,且每个所述气路输送模块之间可拆卸连接;
所述气路输送模块包括第一基块及第一控制部件,所述第一基块内开设有第一气路;至少一个所述第一控制部件设置于所述第一基块上,所述第一控制部件与所述第一气路连接;
所述第一控制部件包括:手动阀、调压阀、压力传感器、过滤器、双向阀、质量流量控制器的任意一种或几种的组合;
所述第一基块包括有多个依次排列的子基块,任意两相邻的所述子基块之间采用凹凸配合方式设置;
多个所述子基块内均开设有所述第一气路,所述第一控制部件可以分别与两个所述子基块内的所述第一气路连接,或者与一个所述子基块内的所述第一气路连接。
2.如权利要求1所述的集成供气系统,其特征在于,所述气路输送模块还包括第二基块及第二控制部件,所述第二基块与所述第一基块固定连接,所述第二基块内开设有第二气路;至少一个所述第二控制部件设置于所述第二基块上,所述第二控制部件与所述第二气路连接。
3.如权利要求2所述的集成供气系统,其特征在于,所述气路输送模块还包括有三通阀,所述三通阀设置于所述第一基块及所述第二基块之间,并且靠近所述第一气路及所述第二气路的进气口设置。
4.如权利要求3所述的集成供气系统,其特征在于,所述第一控制部件设置于所述第一基块的顶部,所述第一气路的进气口及出气口均位于所述第一基块的底部,并且靠近所述第一基块的两端设置;所述第二控制部件设置于所述第二基块的顶部,所述第二气路的进气口及出气口均位于所述第二基块的底部,并且靠近所述第二基块的两端设置。
5.如权利要求4所述的集成供气系统,其特征在于,所述气路输送模块还包括进气接头及出气接头,两个所述进气接头分别与所述第一气路及所述第二气路的进气口连接,两个所述出气接头分别与所述第一气路及所述第二气路的出气口连接。
6.如权利要求5所述的集成供气系统,其特征在于,所述气路输送模块还包括有支撑板及连接件,所述第一基块及所述第二基块通过多个所述连接件固定设置于所述支撑板上,并且所述支撑板顶面与所述第一基块及所述第二基块的底面相对且间隔设置。
7.如权利要求3所述的集成供气系统,其特征在于,所述三通阀为气动阀。
8.如权利要求2所述的集成供气系统,其特征在于,所述第二控制部件包括:手动阀、调压阀、压力传感器、过滤器、双向阀、质量流量控制器的任意一种或几种的组合。
9.如权利要求8所述的集成供气系统,其特征在于,所述第一气路的进气口至出气口方向依次排列有多个所述第一控制部件,多个所述第一控制部件依次为:手动阀、调压阀、压力传感器、过滤器、双向阀、质量流量控制器及双向阀;以及,
所述第二气路的进气口至出气口方向依次排列有多个所述第二控制部件,多个所述第二控制部件依次包括:手动阀、调压阀、压力传感器、过滤器、双向阀、质量流量控制器及双向阀。
10.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括工艺腔室以及如权利要求1至9的任一所述的集成供气系统。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的