[发明专利]测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法

权利要求书

1.一种测试阵列结构，其特征在于，包括：

基板；

第一胞与第二胞，其中所述第一与第二胞中每一个都具有依序排列并连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区；

第一位线环与第二位线环，位于所述基板上，其中所述第一胞的所述第一漏极区与所述第一栅极区位于所述第一位线环内，所述第一胞的所述第二栅极区以及所述第二漏极区位于所述第一位线环与所述第二位线环之间，所述第二胞的所述第一漏极区与所述第一栅极区位于所述第二位线环内，并且所述第二胞的所述第二栅极区以及所述第二漏极区位于所述第一与第二位线环之外；以及

第一字线、第二字线、第三字线与第四字线，位于所述第一与第二位线环之上，其中所述第一胞的所述第二漏极区与所述第二胞的所述第一漏极区位于所述第二与第三字线之间。

2.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，所述第一与第二位线环中的每一个都是沿第一方向延伸的封闭椭圆环。

3.如权利要求2所述的测试阵列结构，其特征在于，所述第一、第二、第三以及第四字线彼此平行并延伸于垂直所述第一方向的第二方向。

4.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，进一步包括：

多个电容，其中所述多个第一与第二漏极区中每一个都分别连接至所述多个电容中相应的电容。

5.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，所述第一胞的所述源极区位于所述第一位线环下并连接至所述第一位线环，所述第二胞的所述源极区位于所述第二位线环下并连接至所述第二位线环。

6.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，所述第一胞的所述第一栅极区位于所述第一字线下并连接至所述第一字线，所述第一胞的所述第二栅极区位于所述第二字线下并连接所述第二字线，所述第二胞的所述第一栅极区位于所述第三字线下并连接至所述第三字线，所述第二胞的所述第二栅极区位于所述第二字线下并连接所述第四字线。

7.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，进一步包括：

第三胞，具有依序排列并连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区，其中所述第三胞的所述第一漏极区与所述第一栅极区位于所述第一与第二位线环之间，所述第三胞的所述第二栅极区以及所述第二漏极区位于所述第二位线环内。

8.如权利要求1所述的测试阵列结构，其特征在于，所述第一胞与所述第二胞中的每一个都具有通道区，所述第一胞与所述第二胞中的所述二通道区分别位于所述第一胞与所述第二胞中相应的所述第一与第二栅极区下。

9.一种晶圆结构，包括多个晶片，其特征在于，所述多个晶片至少其中之一具有如权利要求1所述的所述测试阵列结构。

10.一种晶圆测试方法，其特征在于，包括：

提供具有权利要求1所述的所述测试阵列结构的晶圆结构；

施加开启电压于所述第一位线环，并施加关闭电压于所述第二位线环；

分别施加开启电压于所述第一、第二、第三与第四字线并测量第一泄漏幅度，其中所述第一泄漏幅度为所述第一胞的所述第二漏极区与所述第二胞的所述第一漏极区之间的电流；

施加关闭电压于所述第一与第三字线，施加开启电压于所述第二与第四字线，并且测量第二泄漏幅度，其中所述第二泄漏幅度为所述第一胞的所述第二漏极区与所述第二胞的所述第一漏极区之间的电流；

比对所述第一泄漏幅度与所述第二泄漏幅度，以判断所述第一胞与所述第二胞之间是否发生电流泄漏；以及

若所述第一胞与所述第二胞之间发生所述电流泄漏，标记所述晶圆结构为破损晶圆。

11.如权利要求10所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述测试阵列结构进一步包括第三胞，所述第三胞具有依序排列并连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区，其中所述第三胞的所述第一漏极区与所述第一栅极区位于所述第一与第二位线环之间，所述第三胞的所述第二栅极区以及所述第二漏极区位于所述第二位线环内，所述晶圆测试方法进一步包括：

测量第三泄漏幅度，其中所述第三泄漏幅度为所述第一胞的所述第二漏极区与所述第三胞的所述第一漏极区之间的电流；

根据所述第三泄漏幅度的大小判断在所述第一胞与所述第三胞之间是否发生另一电流泄漏；以及

若所述第一胞与所述第三胞之间发生所述另一电流泄漏，标记所述晶圆结构为破损晶圆。