[发明专利]测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法

说明书

本发明公开了一种测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法，测试阵列结构包括基板、第一胞、第二胞、第一与第二位线环以及四个字线。第一与第二胞中的每一个都具有依序排列且彼此连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区。第一胞的第一漏极区与第一栅极区位于第一位线环内。第一胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第一位线环与第二位线环之间。第二胞的第一漏极区与第一栅极区位于第二位线环内。第二胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第一与第二位线环之外。第一胞的第二漏极区与第二胞的第一漏极区位于其中二个彼此最相邻的字线之间。借此，能够测试晶圆结构在二个不同方向上的电流泄漏，从而确认晶圆结构的品质。

技术领域

本发明有关于测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法。

背景技术

对于半导体装置的制作，如何确认晶圆的品质是一个很重要的课题。因此，在晶圆上能够执行多种不同的电性参数测试。对于被测试的晶圆来说，在被测试的晶圆上可以设置一个测试晶片，而工程师能通过量测测试晶片的电性，来确认被测试的晶圆的品质。

测试晶片可以是一个小型阵列测试元件组(mini array test element group,TEG)。然而，对于传统的具有容器的阵列测试元件组来说，是难以测试出于彼此垂直的二个方向上是否有电流泄漏的情况发生。

发明内容

为了达到上述目的，本发明的一些实施例有关于测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法。

本发明的一实施例有关于一种测试阵列结构。测试阵列结构包括基板、第一胞与第二胞、位于基板上的第一位线环与第二位线环，以及位于第一与第二位线环之上的第一字线、第二字线、第三字线与第四字线。第一与第二胞中每一个都具有依序排列并连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区。第一胞的第一漏极区与第一栅极区位于第一位线环内。第一胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第一位线环与第二位线环之间。第二胞的第一漏极区与第一栅极区位于第二位线环内。第二胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第一与第二位线环之外。第一胞的第二漏极区与第二胞的第一漏极区位于第二与第三字线之间。

在一或多个实施方式中，第一与第二位线环中的每一个都是沿第一方向延伸的封闭椭圆环。

在一些实施方式中，第一、第二、第三以及第四字线彼此平行并延伸于垂直第一方向的第二方向。

在一或多个实施方式中，如前所述的测试阵列结构进一步包括多个电容。前述的第一与第二漏极区中每一个都分别连接至这些电容中相应的一个电容。

在一或多个实施方式中，第一胞的源极区位于第一位线环下并连接至第一位线环。第二胞的源极区位于第二位线环下并连接至第二位线环。

在一或多个实施方式中，第一胞的第一栅极区位于第一字线下并连接至第一字线。第一胞的第二栅极区位于第二字线下并连接第二字线。第二胞的第一栅极区位于第三字线下并连接至第三字线。第二胞的第二栅极区位于第二字线下并连接第四字线。

在一或多个实施方式中，如前所述的测试阵列结构进一步包括第三胞。第三胞具有依序排列并连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区。第三胞的第一漏极区与第一栅极区位于第一与第二位线环之间。第三胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第二位线环内。

在一或多个实施方式中，第一胞与第二胞中的每一个都具有通道区。第一胞与第二胞的通道区分别位于第一胞与第二胞中相应的第一与第二栅极区下。

本发明的另一实施例有关于一种晶圆结构。晶圆结构包括多个晶片，并且这些晶片至少其中之一具有如前所述的测试阵列结构。