[发明专利]一种具有平衡电流密度UMOS及其制作方法

权利要求书

1.一种具有平衡电流密度UMOS的制作方法，其特征在于：包含以下步骤：

S1：选用N型衬底+N^-外延层，并在外延层表面淀积刻蚀掩蔽层，再在刻蚀掩蔽层通过刻蚀形成深槽结构；

S2：在沟槽内形成栅氧化层，并淀积多晶电极，并刻蚀所需要的区域，形成槽栅结构及平面栅结构栅极，然后注入Boron形成P+区域；

S3：在外延层表面形成N+区域；

S4：在深槽表面淀积ILD层，并运用CONT Mask利用光刻、刻蚀工艺形成接触孔；

S5：再次淀积3～4um厚的METAL层金属，引出金属电极；

S6：然后进行背金工艺形成背面drain电极。

2.根据权利要求1所述的具有平衡电流密度UMOS的制作方法，其特征在于：所述S1中淀积刻蚀掩蔽层的方法为在外延表面沉积SiO₂，所述S1中形成深槽结构的步骤包括：先运用Trench Mask通过光刻、刻蚀所需要的区域，运用干法刻蚀工艺进行深沟槽刻蚀窗口，再次进行Si刻蚀，从而形成深槽结构。

3.根据权利要求1所述的具有平衡电流密度UMOS的制作方法，其特征在于：所述S2中形成栅氧化层的步骤包括：先通过热氧在沟槽内生长100～500A的SAC氧化层，并通过湿法刻蚀将氧化层去除，再通过热氧生长为500～1500A的栅氧化层。

4.根据权利要求1所述的具有平衡电流密度UMOS的制作方法，其特征在于：所述S2刻蚀所需要的区域的方法为：运用特殊的一层CT光刻版，通过涂胶、曝光、显影，从而刻开所需要的区域。

5.根据权利要求1所述的具有平衡电流密度UMOS的制作方法，其特征在于：所述S3中形成N+区域的步骤包括利用N+光刻版通过涂胶、曝光、显影在外延层表面显影出需要刻蚀的区域，并在刻蚀完成的区域注入Phosphor离子。

6.根据权利要求1所述的具有平衡电流密度UMOS的制作方法，其特征在于：所述S4中ILD层为淀积在Poly2外侧的NSG+BPSG的结合，两者的厚度大于1.2μm。

7.一种具有平衡电流密度的UMOS，其特征在于：使用权利要求1-6任一一项所述的具有平衡电流密度UMOS的制作方法制备得到。