[发明专利]高集成度多天线组及其天线组模块

权利要求书

1.一种高集成度多天线组，其特征在于，所述多天线组至少包括：

金属地、开设于所述金属地上的辐射缝隙及激励单元，所述激励单元包括缝隙激励源及缝隙激励部件，所述缝隙激励源加载在所述缝隙激励部件上，对所述辐射缝隙进行激励形成缝隙天线；

设置于所述辐射缝隙中的第一偶极子天线，所述第一偶极子天线包括第一激励源及第一天线走线，所述第一天线走线沿与所述辐射缝隙的长边以介于-10°～10°的夹角方向放置；所述第一偶极子天线的激励方式为耦合激励，所述第一偶极子天线包括所述第一激励源、与所述第一激励源连接的第一激励部件及所述第一天线走线，所述第一激励源加载于所述第一激励部件，借助于所述辐射缝隙对电磁场的束缚作用，使所述第一激励部件对所述第一天线走线进行耦合激励，使所述第一天线走线工作在偶极子天线模式。

2.根据权利要求1所述的高集成度多天线组，其特征在于：所述金属地包括PCB板、FPC板、金属外壳或导电性金属涂层。

3.根据权利要求1所述的高集成度多天线组，其特征在于：所述激励单元的激励方式为直接激励或耦合激励。

4.根据权利要求3所述的高集成度多天线组，其特征在于：所述激励单元的激励方式为偶极子单元耦合馈电，且在该偶极子上引入巴伦结构。

5.根据权利要求3所述的高集成度多天线组，其特征在于：所述激励单元的激励方式为直接激励方式，所述缝隙激励部件沿所述辐射缝隙的窄边方向跨接在所述金属地上，所述缝隙激励源及所述第一偶极子天线分别对称分布于所述辐射缝隙两窄边中心点连线的两侧；或所述激励单元的激励方式为偶极子单元的耦合激励方式，该偶极子单元及所述第一偶极子天线分别对称分布于所述辐射缝隙两窄边中心点连线的两侧。

6.根据权利要求1所述的高集成度多天线组，其特征在于：所述缝隙激励部件与所述第一天线走线位于不同的空间层，且所述缝隙激励部件与所述第一天线走线空间投影部分或者全部重叠。

7.根据权利要求1所述的高集成度多天线组，其特征在于：所述激励单元的激励方式为耦合激励，所述缝隙激励部件包括与所述缝隙激励源连接的第一缝隙激励部件及第二缝隙激励部件，所述第一缝隙激励部件与所述第二缝隙激励部件位于不同的空间层，所述缝隙激励源加载于所述第一缝隙激励部件，使所述第一缝隙激励部件对所述第二缝隙激励部件进行耦合激励。

8.根据权利要求1所述的高集成度多天线组，其特征在于：所述辐射缝隙为由所述金属地四边围成的封闭缝隙或由所述金属地四边围成的开口缝隙，且所述开口缝隙的开口位于所述开口缝隙的窄边。

9.根据权利要求1所述的高集成度多天线组，其特征在于，所述多天线组还包括：设置于所述辐射缝隙中的第二偶极子天线，所述第二偶极子天线包括第二激励源及第二天线走线，所述第二天线走线沿与所述辐射缝隙的长边以介于-10°～10°的夹角方向放置。

10.根据权利要求9所述的高集成度多天线组，其特征在于：所述激励单元的激励方式为直接激励方式，所述缝隙激励部件沿所述辐射缝隙的窄边方向跨接在所述金属地上，所述缝隙激励源、所述第一偶极子天线及所述第二偶极子天线分别对称分布于所述辐射缝隙两窄边中心点连线的两侧；或所述激励单元的激励方式为偶极子单元的耦合激励方式，该偶极子单元、所述第一偶极子天线及所述第二偶极子天线分别对称分布于所述辐射缝隙两窄边中心点连线的两侧。

11.根据权利要求9所述的高集成度多天线组，其特征在于：所述第二偶极子天线的激励方式为耦合激励，所述第二偶极子天线还包括与所述第二激励源连接的第二激励部件，所述第二激励源加载于所述第二激励部件，借助于所述辐射缝隙对电磁场的束缚作用，使所述第二激励部件对所述第二天线走线进行耦合激励，使所述第二天线走线工作在偶极子天线模式。