[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202010824114.3 | 申请日: | 2020-08-17 |
公开(公告)号: | CN112786628A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 陈暎究;郑泰燮;金永灿 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
衬底,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;
光电转换区域,其设置在所述衬底中;以及
偏振器,其设置在所述衬底的所述第一表面,
其中,所述偏振器包括:
下结构,其包括至少一个沟槽,所述至少一个沟槽从所述衬底的所述第一表面朝向所述光电转换区域凹陷;以及
多个上图案,其设置在所述下结构上,并且在与所述第一表面平行的第一方向上彼此间隔开。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
器件隔离图案,其设置在所述衬底中,
其中,所述光电转换区域和所述至少一个沟槽设置在所述器件隔离图案之间。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,所述下结构还包括至少一个下图案,其包括所述至少一个沟槽,并且
其中,所述至少一个下图案是在所述衬底的所述第一表面的突出部分。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述下结构还包括下绝缘图案,其设置在所述至少一个沟槽中。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,所述上图案中的每一个包括:
第一上图案,其设置在所述下结构上;以及
第二上图案,其位于所述下结构与所述第一上图案之间,
其中,所述第一上图案包括金属和高k电介质材料中的至少一种,并且所述第二上图案包括低k电介质材料。
6.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,所述下结构还包括钝化层,其设置在所述至少一个沟槽的内表面与所述下绝缘图案之间,并且
其中,所述钝化层延伸到所述至少一个下图案的顶表面上。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中,所述上图案中的每一个包括:
第一上图案,其设置在所述下结构上;以及
第二上图案,其设置在所述下结构与所述第一上图之间案,
其中,所述第一上图案包括金属和高k电介质材料中的至少一种,并且所述第二上图案包括低k电介质材料,并且
其中,所述第二上图案与所述下结构的所述钝化层和所述下绝缘图案中的至少一个直接接触。
8.根据权利要求6所述的图像传感器,其中,所述上图案中的每一个是包括金属和高k电介质材料中的至少一种的单层图案,并且
其中,所述上图案中的每一个与所述下结构的所述钝化层和所述下绝缘图案中的至少一个直接接触。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
器件隔离图案,其设置在所述衬底中,
其中,所述下结构包括:
多个沟槽,其从所述衬底的所述第一表面朝向所述光电转换区域凹陷;以及
多个下图案,其设置在所述多个沟槽之间,
其中,所述光电转换区域、所述多个沟槽和所述多个下图案设置在所述器件隔离图案之间。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述下结构还包括多个下绝缘图案,其分别设置在所述多个沟槽中。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中,所述多个上图案中的每一个与所述多个下图案和所述多个下绝缘图案中的至少一个竖直地重叠。
12.根据权利要求10所述的图像传感器,其中,所述多个上图案分别在所述多个下图案上对齐。
13.根据权利要求10所述的图像传感器,其中,所述多个上图案分别在所述多个下绝缘图案上对齐。
14.根据权利要求10所述的图像传感器,其中,所述多个上图案中的每一个与所述多个下图案中的相应的一个和所述多个下绝缘图案中的相应的一个竖直地重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的