[发明专利]图像传感器

说明书

一种图像传感器，包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区域，其设置在衬底中；以及偏振器，其设置在衬底的第一表面。偏振器包括：下结构，其包括至少一个沟槽，所述至少一个沟槽从衬底的第一表面朝向光电转换区域凹陷；以及多个上图案，其设置在下结构上，并且在与第一表面平行的第一方向上彼此间隔开。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2019年11月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0139415的优先权，所述申请的公开以引用方式全部并入本文中。

技术领域

本公开的实施例涉及一种图像传感器，并且更具体地，涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

背景技术

图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体装置。随着最近计算机和电子装置技术的开发，高性能图像传感器在诸如数码相机、摄录像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、安全相机和医疗微型相机的各种领域中的需求日益增长。最近，已经开发了用于实现三维(3D)图像以及彩色图像的图像传感器。

发明内容

本公开的实施例可以提供一种能够改善入射光的灵敏度并且能够感测偏振的图像传感器。

根据本公开的一方面，提供了一种图像传感器，可以包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区域，其设置在衬底中；以及偏振器，其设置在衬底的第一表面。偏振器可以包括：下结构，其包括从衬底的第一表面朝向光电转换区域凹陷的至少一个沟槽；以及多个上图案，其设置在下结构上，并且在与第一表面平行的第一方向上彼此间隔开。

根据本公开的另一方面，提供了一种图像传感器，可以包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；器件隔离图案，其设置在衬底中；光电转换区域，其设置在衬底中，并且设置在器件隔离图案之间；以及偏振器，设置在衬底的第一表面。偏振器可以包括：下结构，其包括从衬底突出的多个下图案和设置在下图案之间的下绝缘图案；以及上图案，其设置在下结构上。下结构可以设置在光电转换区域与上图案之间以及器件隔离图案之间。

根据本公开的另一方面，提供了一种图像传感器，包括：像素阵列，其包括在第一方向和与第一方向相交的第二方向D2上二维地布置的多个单位像素，其中，多个单位像素中的每一个包括：衬底；光电转换区域，其设置在衬底中；以及偏振器，其设置在衬底的表面，其中，偏振器包括：下结构，其包括从衬底的表面朝向光电转换区域凹陷的至少一个沟槽；以及多个上图案，其设置在下结构上，并且在与所述表面平行的第一方向上彼此间隔开，其中，多个单位像素之中的第一单位像素的偏振器与多个单位像素之中的第二单位像素的偏振器具有不同的偏振轴。

附图说明

鉴于附图和随附的详细描述，本公开将变得更加显而易见。

图1是根据本公开的一些实施例的图像传感器的像素的电路图。

图2是示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的像素的平面图。

图3至图7是根据本公开的一些实施例的示出图像传感器的像素的与图2的线I-I’对应的截面图。

图8是示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的像素的平面图。

图9是沿图8的线I-I’截取的截面图。

图10是示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的像素的平面图。

图11是沿图10的线I-I’截取的截面图。

图12是示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的像素的平面图。

图13和图14分别是沿图12的线I-I’和线II-II’截取的截面图。

图15是示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的像素的平面图。