[发明专利]光学放大器和光学放大器的检查方法在审
申请号: | 202010824502.1 | 申请日: | 2020-08-17 |
公开(公告)号: | CN112542765A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 高林和雅;秋山杰 | 申请(专利权)人: | 富士通光器件株式会社 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042;H01S5/028;H01S5/223;H01S5/50;H01S5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 段丹辉;刘久亮 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 放大器 检查 方法 | ||
光学放大器和光学放大器的检查方法。一种光学放大器包括:光学放大器芯片,该光学放大器芯片包括一对半导体光学放大器(SOA);U形波导,该U形波导连接该对SOA;以及两个电极,所述两个电极分别与该对SOA对应并且彼此分离;以及基底基板,该基底基板包括连接所述两个电极的公共金属布线,并且所述光学放大器芯片安装在所述基底基板上。
技术领域
这里讨论的实施方式涉及光学放大器和光学放大器的检查方法。
背景技术
通常,在光通信系统中使用的光通信设备需要高传输光输出和高灵敏度。为了满足这些要求,存在一种通过使用光学放大器来放大发射光和接收光的方法。当使用光学放大器时,从减小光通信设备的尺寸的观点来看,可以使用芯片尺寸小的半导体光学放大器(SOA)。
图7示出了使用SOA芯片的光学放大器10的结构示例。图7中的上图是光学放大器10的平面图,图7中的下图是光学放大器10的侧视图。如图7所示,基底基板11具有形成于其中的凹形平台部11a,并且在平台部11a上布置有SOA芯片12。SOA芯片12被定位成使得形成在基底基板11中的波导11b的端表面与SOA芯片12的芯层12a的端表面彼此相对并且光耦合,并且通过凸块13固定到平台部11a。
考虑到SOA芯片12的芯片长度的变化,平台部11a具有能够布置具有最大芯片长度的SOA芯片12的宽度。因此,当SOA芯片12布置在平台部11a上时,可以分别在波导11b的端表面和核心层12a的端表面之间形成宽度为d1、d2的间隙。当宽度d1、d2变大时,这些间隙中的光耦合损耗增加,并且光学放大器10的放大特性恶化。
为了解决这个问题,例如,如图8所示,已经开发了其中使用U形转弯型(U-turntype)SOA芯片的光学放大器20。图8示出了其中使用U形转弯型SOA芯片的光学放大器20的结构。图8中的上图是光学放大器20的平面图,图8中的下图是光学放大器20的侧视图。
如图8所示,基底基板21具有形成于其中的凹形平台部21a,并且SOA芯片22布置在平台部21a上。在SOA芯片22中,两个SOA 22a经由U形转弯波导(U-turn waveguide)22b连接。因此,两个SOA 22a的端表面在SOA芯片22的同一侧表面暴露,并且输入端和输出端布置在SOA芯片22的一个侧表面处。SOA芯片22被定位成使得形成在基底基板21中的波导21b的端表面和SOA芯片22的SOA 22a的端表面彼此相对,并光耦合,并且通过凸块23固定到平台部21a。
U形转弯波导22b是具有高台面结构的波导,其中核心层未被埋置在半导体材料中,能够增强光的限制,并且减小波导的转弯的曲率半径。因此,能够实现SOA芯片22的小型化。此外,因为SOA芯片22的输入端和输出端被布置在同一侧表面上,所以能够使两个波导21b的端表面和两个SOA 22a的端表面彼此靠近,从而使间隙的宽度d3小。结果,能够抑制光耦合损耗,并且能够改善光学放大器20的放大特性。
专利文献1:美国专利No.4794346
专利文献2:日本特开专利公开No.2012-4441
常见的是,在将SOA芯片安装在基底基板上之前,检查SOA芯片是否正确地执行光放大。具体地,使光纤靠近SOA的一个端表面以与其光耦合,并且光从光纤输入到SOA。此外,使光纤靠近SOA的另一端表面,以进行光耦合,并且测量从SOA输出的光的强度。由此评估SOA的特性。
然而,在上述U形转弯型SOA芯片中,SOA的端表面在同一侧表面上暴露,因此存在难以检查和评估SOA的问题。即,在图8所示的SOA芯片22中,U形转弯波导22b的曲率半径小,以将芯片尺寸减小到尽可能小,并且两个SOA 22a彼此靠近布置。因此,难以使光纤靠近两个SOA 22a的端表面。
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