[发明专利]通过导电块上的硅化物在基底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法

权利要求书

1.一种形成半导体设备的方法，包括：

提供半导体材料的基底，所述半导体材料的基底包括第一区域、第二区域和第三区域；

使所述第一区域中的所述基底的上表面和所述第二区域中的所述基底的上表面相对于所述第三区域中的所述基底的上表面凹入；

在所述第一区域中形成一对堆叠结构，其中所述堆叠结构中的每个堆叠结构包括设置在所述第一区域中的所述基底的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘的导电材料的浮栅，以及设置在所述浮栅上方并且与所述浮栅绝缘的导电材料的第一非浮栅；

在所述第一区域中的所述一对堆叠结构之间的所述基底中形成第一源极区；

形成设置在所述第一区域中的所述第一源极区上方并且与所述第一源极区绝缘的第二非浮栅；

形成设置在所述第三区域中的所述基底的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘的伪材料块；

形成导电材料的第三非浮栅，所述第三非浮栅设置在所述第一区域中的所述基底的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘，并且各自横向邻近所述堆叠结构中的一个堆叠结构并且与所述堆叠结构绝缘；

形成设置在所述第二区域中的所述基底的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘的导电材料的第四非浮栅；

在所述第一区域中的所述基底中形成第一漏极区，每个第一漏极区邻近所述第三非浮栅中的一个第三非浮栅；

在所述第二区域中的所述基底中形成第二源极区，每个第二源极区邻近所述第四非浮栅中的一个第四非浮栅；

在所述第二区域中的所述基底中形成第二漏极区，每个第二漏极区邻近所述第四非浮栅中的一个第四非浮栅；

在所述第三区域中的所述基底中形成第三源极区，所述第三源极区邻近所述伪材料块；

在所述第三区域中的所述基底中形成第三漏极区，所述第三漏极区邻近所述伪材料块；

在所述第二区域中的所述第四非浮栅中的一个第四非浮栅的至少一部分上方形成第一阻挡层；

在所述第一漏极区、所述第二漏极区和所述第三漏极区上，在所述第二源极区和所述第三源极区上，以及在不处于所述第一阻挡层下面的所述第四非浮栅的顶表面上形成硅化物；以及

用金属材料块替换所述伪材料块。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二非浮栅、所述第三非浮栅和所述第四非浮栅的所述形成包括：

形成导电层，所述导电层设置在所述第一区域和所述第二区域中的所述上表面上方并且与所述上表面绝缘；

在所述第一区域和所述第二区域中的所述导电层上方形成保护绝缘层；

蚀刻在所述第一区域和所述第二区域中的所述保护绝缘层的部分和所述导电层的部分，以从所述导电层的第一部分形成所述第三非浮栅并且从所述导电层的第三部分形成所述第四非浮栅，其中所述一对堆叠结构之间的所述导电层的第二部分构成所述第二非浮栅。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

执行一次或多次蚀刻以去除所述第三非浮栅和所述第四非浮栅上方的所述保护绝缘层的部分，并且去除所述第二区域中的所述第一阻挡层的至少一部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硅化物的所述形成还包括在所述第二非浮栅和所述第三非浮栅的顶表面上形成硅化物。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域上方形成光刻胶；

从所述第一区域和所述第二区域去除所述光刻胶；

在所述光刻胶的所述去除之后并且在所述硅化物的所述形成之前，去除在所述第二非浮栅、所述第三非浮栅和所述第四非浮栅上方的所述保护绝缘层的部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硅化物的所述形成还包括在所述第二非浮栅和所述第三非浮栅的顶表面上形成硅化物。