[发明专利]一种防止花键轴中频淬火变形的方法

权利要求书

1.一种防止花键轴中频淬火变形的方法，其特征在于，该包括以下步骤：

S1：通过化学成分分析掌握花键轴材料的化学成分；

S2：根据化学成分和花键轴的结构针对性的拟定中频淬火的工艺曲线；

S3：根据拟定中频淬火的工艺曲线对花键轴进行中频淬火处理，并根据实际变形情况修正工艺曲线直至达到技术要求为止；

S4：确定花键轴中频淬火工艺曲线并保存中频淬火工艺参数；

S5：在热处理车间按照确定后的中频淬火工艺曲线批量生产；

S6：将淬火后的花键轴进行回火处理；

所述S2中根据化学成分和花键轴的结构针对性的拟定中频淬火的工艺曲线还包括以下步骤：

确定花键轴的表面硬化深度；

拟定中频淬火的预热时间和预热距离；

拟定中频淬火时的加热温度、升温速率及等温时间；

拟定淬火介质；

拟定淬火介质的喷淋温度、冷却时间。

2.根据权利要求1所述的一种防止花键轴中频淬火变形的方法，其特征在于，所述S1中通过化学成分分析掌握花键轴材料的化学成分还包括以下步骤：

将花键轴材料置于光谱仪中进行材料的化学成分分析；

给出成分分析报告，并计算出花键轴材料各成分间的占比。

3.根据权利要求2所述的一种防止花键轴中频淬火变形的方法，其特征在于，所述化学成分即花键轴材料中硅、锰、碳、硫的含量。

4.根据权利要求1所述的一种防止花键轴中频淬火变形的方法，其特征在于，所述硬化深度为5-8mm，所述预热时间为5-10min，所述预热距离200-300mm，所述淬火加热温度为850-880℃，所述等温时间为150-170mm/min，所述淬火介质为纯水，所述喷淋温度为20-40℃，所述冷却时间为15-20秒。

5.根据权利要求1所述的一种防止花键轴中频淬火变形的方法，其特征在于，所述S3中根据拟定中频淬火的工艺曲线对花键轴进行中频淬火处理，并根据实际变形情况修正工艺曲线直至达到技术要求为止还包括以下步骤：

将花键轴置于中频淬火感应炉中；

按照拟定中频淬火工艺曲线对花键轴进行淬火处理；

冷却后测量花键轴的尺寸并根据技术要求计算变形量；

根据实际花键轴淬火的实际变形两修正工艺曲线。

6.根据权利要求5所述的一种防止花键轴中频淬火变形的方法，其特征在于，所述花键轴的尺寸包括几何尺寸与形位尺寸。

7.根据权利要求1所述的一种防止花键轴中频淬火变形的方法，其特征在于，所述S4中确定花键轴中频淬火工艺曲线并保存中频淬火工艺参数还包括以下步骤：

确定花键轴的表面硬化深度；

确定中频淬火的预热时间和预热距离；

确定中频淬火时的加热温度、升温速率及等温时间；

确定淬火介质；

确定淬火介质的喷淋温度、冷却时间；

保存花键轴中频淬火工艺参数。

8.根据权利要求1所述的一种防止花键轴中频淬火变形的方法，其特征在于，所述S6中在将淬火后的花键轴进行回火处理时，回火温度为180-220℃，回火时间为2-3h，并采用空冷的方式冷却至室温。